[实用新型]一种电子元件封装结构及半导体器件有效
| 申请号： | 201821102208.4 | 申请日： | 2018-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN208507648U | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 曹俊;江伟;何昌 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人： | 葛钟 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 保护层 应力缓冲层 封装应力 电子元件封装结构 半导体器件 缓冲 半导体器件技术 施加 芯片 本实用新型 封装保护层 封装结构 离子污染 水汽 匹配 入侵 受损 | ||
1.一种电子元件封装结构，其特征在于，包括电子元件、保护层和应力缓冲层，所述应力缓冲层介于所述电子元件与所述保护层之间，且所述应力缓冲层能缓冲、减弱所述保护层对所述电子元件施加的封装应力。
2.根据权利要求1所述的电子元件封装结构，其特征在于，所述应力缓冲层采用弹性材料制造，且所述应力缓冲层材料的热膨胀系数大于所述保护层材料的热膨胀系数。
3.根据权利要求1所述的电子元件封装结构，其特征在于，所述电子元件为芯片或晶体管。
4.根据权利要求1-3任一项所述的电子元件封装结构，其特征在于，所述电子元件通过导体与引脚或其他电子元件相连接，所述应力缓冲层覆盖于所述电子元件的表面。
5.根据权利要求1所述的电子元件封装结构，其特征在于，所述应力缓冲层的吸湿率低于0.03％。
6.根据权利要求1所述的电子元件封装结构，其特征在于，所述应力缓冲层由聚酰亚胺材料固化形成。
7.根据权利要求1所述的电子元件封装结构，其特征在于，所述应力缓冲层的厚度小于等于200μm。
8.根据权利要求1所述的电子元件封装结构，其特征在于，所述保护层采用塑封、陶封和/或金封工艺制造。
9.根据权利要求1所述的电子元件封装结构，其特征在于，还包括导体，所述电子元件通过所述导体与引脚或其他电子元件相连接。
10.一种半导体器件，其特征在于，包括权利要求1-9任一所述的电子元件封装结构。
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