[实用新型]一种防松结构的射频同轴转接器有效
申请号: | 201821108301.6 | 申请日: | 2018-07-13 |
公开(公告)号: | CN208336727U | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 张卫星 | 申请(专利权)人: | 北京格润海泰科技有限公司 |
主分类号: | H01R24/40 | 分类号: | H01R24/40;H01R13/02;H01R13/40 |
代理公司: | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人: | 胡剑辉 |
地址: | 100102 北京市朝*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘子 中心导体 射频同轴转接器 防松结构 外导体 收缩 倒刺 本实用新型 电压驻波比 性能一致性 产品性能 尺寸变化 结构稳定 连续传输 圆筒结构 装配方便 凹槽卡 内凸块 套装孔 贴合 通孔 压制 国内市场 发送 加工 生产 | ||
本实用新型公开了一种防松结构的射频同轴转接器,包括中心导体和贴合套设在中心导体外表面的绝缘子,所述中心导体的中心位置设有收缩凹槽,所述绝缘子的外侧还设有外导体,所述外导体的中心位置设有与收缩凹槽卡定安装的压制内凸块,并且所述绝缘子的内部为通孔圆筒结构,所述绝缘子的两端内部均设有内沿环,所述中心导体的两端均设有用于固定内沿环的套装孔槽;结构稳定,易于加工,能够满足批量生产,并且装配方便,性能一致性好,可避免倒刺不同方向尺寸变化对产品性能的影响,从而可连续传输发送的信号,18G以内性能指标明显提高,电压驻波比可达到1.25,优于国内市场1.3的指标,可靠性高。
技术领域
本实用新型涉及同轴转接器技术领域,具体为一种防松结构的射频同轴转接器。
背景技术
目前,SMP界面的射频同轴转接器的结构常采用倒刺结构,用以防止中心导体在绝缘子中移动,如附图1所示,其中填充部分代表切割剖图,中心导体1外壁设有倒刺以防止中心导体1在绝缘子1中移动,并且在外导体1内壁设有倒刺以防止绝缘子1在中心导体1中移动。但是这类转接器主要存在以下不足:
1、SMP界面的射频同轴转接器本身的尺寸小,导致中心导体和外导体倒刺加工装配困难,增加转接器的制作成本;
2、中心导体和外导体同时采用倒刺结构,会造成两个导体之间的空间尺寸发生变化,造成传输中信号的不连续且引起反射,性能指标较差,18G以内电压驻波比小于1.4;
3、中心导体和外导体在增设倒刺时,倒刺均具有方向性,在装配时需要比对零件装入方向,费时费力,影响生产进度;
4、批量生产时,产品可靠性较差,易出现中心导体松动甚至掉出现象,严重时可造成质量事故。
实用新型内容
为了克服现有技术方案的不足,本实用新型提供一种防松结构的射频同轴转接器,能有效的解决背景技术提出的问题。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:
一种防松结构的射频同轴转接器,包括中心导体和贴合套设在中心导体外表面的绝缘子,所述中心导体的中心位置设有收缩凹槽,所述绝缘子的外侧还设有外导体,所述外导体的中心位置设有与收缩凹槽卡定安装的压制内凸块,并且所述绝缘子的内部为通孔圆筒结构,所述绝缘子的两端内部均设有内沿环,所述中心导体的两端均设有用于固定内沿环的套装孔槽。
作为本实用新型一种优选的技术方案,所述外导体的端口处设有两个关于外导体的端口中线对称的勺形卡块。
作为本实用新型一种优选的技术方案,所述中心导体的两端孔径大于收缩凹槽的孔径,并且所述中心导体外表面的两端与收缩凹槽形成两端大、中间小的一体化轮廓结构。
作为本实用新型一种优选的技术方案,所述外导体的两端关于压制内凸块对称,并且所述外导体的内部两端与压制内凸块形成中间凸起的结构。
作为本实用新型一种优选的技术方案,所述中心导体的外表面与收缩凹槽的连接处设有圆台形过渡台阶,所述圆台形过渡台阶位于压制内凸块的两端。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型的同轴转接器结构稳定,易于加工,能够满足批量生产,并且装配方便,性能一致性好,可避免倒刺不同方向尺寸变化对产品性能的影响,从而可连续传输发送的信号,8G以内性能指标明显提高,电压驻波比可达到1.25,优于国内市场1.3的指标,可靠性高。
附图说明
图1为本实用新型的原转接器的断面结构示意图;
图2为本实用新型的新转接器的断面结构示意图;
图3为本实用新型的勺形卡块结构示意图;
图中标号:
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