[实用新型]碳化硅器件有效
申请号: | 201821109540.3 | 申请日: | 2018-07-12 |
公开(公告)号: | CN208655573U | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 陈伟钿;周永昌;张永杰 | 申请(专利权)人: | 创能动力科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/04 | 分类号: | H01L21/04;H01L29/10;H01L21/336;H01L29/78 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 中国香港新界沙田火炭坳背*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 外延层 接触区 体区 碳化硅器件 衬底方向 本实用新型 衬底 源区 延伸 掺杂 器件制作工艺 外延层表面 性能和应用 边缘交叠 自对准 沟道 夹置 掩埋 | ||
1.一种碳化硅器件,其特征在于,所述碳化硅器件包括:
导电类型为n型的碳化硅衬底;
设置在所述碳化硅衬底上的导电类型为n型的碳化硅第一外延层;
设置在所述碳化硅第一外延层上的导电类型为n型的碳化硅第二外延层;
设置在所述碳化硅第二外延层内并且从所述碳化硅第二外延层表面朝向所述碳化硅衬底方向延伸的导电类型为p型的体区;
导电类型为p型的接触区,所述接触区设置在所述体区内并且从所述体区表面朝向所述碳化硅衬底方向延伸;
导电类型为p型的汇区,所述汇区掩埋在所述碳化硅第二外延层内,所述汇区和所述接触区的掺杂浓度均高于所述体区的掺杂浓度,所述汇区与所述接触区不相连,所述汇区设置在所述体区内或者与所述体区的边缘交叠;
导电类型为n型的源区,所述源区设置在所述体区内并且从所述体区表面朝向所述碳化硅衬底方向延伸,在所述体区内,所述接触区接触并且夹置在两个相邻的源区之间。
2.根据权利要求1所述的碳化硅器件,其特征在于,所述体区的结深为0.9um至1.5um范围,所述接触区的结深为0.2um至0.5um范围,所述汇区沿着朝向所述碳化硅衬底方向的范围为1um至1.6um。
3.根据权利要求1所述的碳化硅器件,其特征在于,所述体区的结深为0.9um至1.5um范围,所述接触区的结深为0.4um至0.6um范围,所述汇区沿着朝向所述碳化硅衬底方向的范围为0.8um至1.4um。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的碳化硅器件,其特征在于,相邻碳化硅器件的间距在5um至7um范围。
5.根据权利要求4所述的碳化硅器件,其特征在于,所述体区的横向宽度为4.3um至4.9um范围,在所述第二外延层内的相邻体区之间沿横向的距离为1.1um至1.7um范围。
6.根据权利要求4所述的碳化硅器件,其特征在于,所述汇区的横向宽度和所述源区的横向宽度均为1.3um至1.5um范围,在所述体区中的两个相邻汇区沿横向的距离和所述体区中的两个相邻源区沿横向的距离均为0.9um至1.1um范围。
7.根据权利要求4所述的碳化硅器件,其特征在于,所述碳化硅器件还包括设置在所述第二外延层表面上的栅氧化层和设置在所述栅氧化层上的掺杂多晶硅层,所述掺杂多晶硅层的横向宽度为2.9um至3.5um范围,两个相邻掺杂多晶硅层之间的横向距离为2.5um至3.1um范围。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的碳化硅器件,其特征在于,所述源区的掺杂浓度在2E19cm-3至1E20cm-3范围。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的碳化硅器件,其特征在于,所述碳化硅第一外延层的厚度为0.5um,掺杂浓度为1E18cm-3至2E18cm-3范围。
10.根据权利要求1至3中任一项所述的碳化硅器件,其特征在于,所述碳化硅第二外延层的厚度在5um至30um范围,掺杂浓度在1E15cm-3至2E16cm-3范围。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于创能动力科技有限公司,未经创能动力科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821109540.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种条形卤素灯加工用灯头烘干装置
- 下一篇:一种高安全性的IC整形机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造