[实用新型]碳化硅器件

权利要求书

1.一种碳化硅器件，其特征在于，所述碳化硅器件包括：

导电类型为n型的碳化硅衬底；

设置在所述碳化硅衬底上的导电类型为n型的碳化硅第一外延层；

设置在所述碳化硅第一外延层上的导电类型为n型的碳化硅第二外延层；

设置在所述碳化硅第二外延层内并且从所述碳化硅第二外延层表面朝向所述碳化硅衬底方向延伸的导电类型为p型的体区；

导电类型为p型的接触区，所述接触区设置在所述体区内并且从所述体区表面朝向所述碳化硅衬底方向延伸；

导电类型为p型的汇区，所述汇区掩埋在所述碳化硅第二外延层内，所述汇区和所述接触区的掺杂浓度均高于所述体区的掺杂浓度，所述汇区与所述接触区不相连，所述汇区设置在所述体区内或者与所述体区的边缘交叠；

导电类型为n型的源区，所述源区设置在所述体区内并且从所述体区表面朝向所述碳化硅衬底方向延伸，在所述体区内，所述接触区接触并且夹置在两个相邻的源区之间。

2.根据权利要求1所述的碳化硅器件，其特征在于，所述体区的结深为0.9um至1.5um范围，所述接触区的结深为0.2um至0.5um范围，所述汇区沿着朝向所述碳化硅衬底方向的范围为1um至1.6um。

3.根据权利要求1所述的碳化硅器件，其特征在于，所述体区的结深为0.9um至1.5um范围，所述接触区的结深为0.4um至0.6um范围，所述汇区沿着朝向所述碳化硅衬底方向的范围为0.8um至1.4um。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的碳化硅器件，其特征在于，相邻碳化硅器件的间距在5um至7um范围。

5.根据权利要求4所述的碳化硅器件，其特征在于，所述体区的横向宽度为4.3um至4.9um范围，在所述第二外延层内的相邻体区之间沿横向的距离为1.1um至1.7um范围。

6.根据权利要求4所述的碳化硅器件，其特征在于，所述汇区的横向宽度和所述源区的横向宽度均为1.3um至1.5um范围，在所述体区中的两个相邻汇区沿横向的距离和所述体区中的两个相邻源区沿横向的距离均为0.9um至1.1um范围。

7.根据权利要求4所述的碳化硅器件，其特征在于，所述碳化硅器件还包括设置在所述第二外延层表面上的栅氧化层和设置在所述栅氧化层上的掺杂多晶硅层，所述掺杂多晶硅层的横向宽度为2.9um至3.5um范围，两个相邻掺杂多晶硅层之间的横向距离为2.5um至3.1um范围。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的碳化硅器件，其特征在于，所述源区的掺杂浓度在2E19cm^-3至1E20cm^-3范围。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的碳化硅器件，其特征在于，所述碳化硅第一外延层的厚度为0.5um，掺杂浓度为1E18cm^-3至2E18cm^-3范围。

10.根据权利要求1至3中任一项所述的碳化硅器件，其特征在于，所述碳化硅第二外延层的厚度在5um至30um范围，掺杂浓度在1E15cm^-3至2E16cm^-3范围。