[实用新型]一种半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

图形化衬底，所述图形化衬底包括位于所述图形化衬底一侧的多个凸台，多个所述凸台相邻设置，所述凸台的顶面为平面，相邻的所述凸台之间具有间隙；

AlN缓冲层，所述AlN缓冲层设置在所述图形化衬底设置所述凸台一侧，所述AlN缓冲层覆盖所述图形化衬底设置所述凸台一侧的表面；

氮化物合并层，所述氮化物合并层设置在所述AlN缓冲层远离所述图形化衬底的一侧，所述氮化物合并层设置在所述凸台的顶面上；其中，所述凸台之间的间隙形成所述图形化衬底与所述氮化物合并层之间的相互连通的孔洞。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，该半导体器件还包括：

外延层，所述外延层设置在所述氮化物合并层远离所述AlN缓冲层的一侧；所述外延层包括发光二极管、电力电子器件、激光器、太阳能电池、光电探测器或氮化物厚膜的外延结构。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述氮化物合并层为制作在所述凸台的顶面的一完整平面。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述氮化物合并层包括：

多个缓冲结构，所述缓冲结构设置在所述AlN缓冲层远离所述图形化衬底的一侧，所述缓冲结构设置在所述每个凸台的顶面上，每个凸台上的缓冲结构相互独立；

合拢层，所述合拢层覆盖所述多个缓冲结构，所述合拢层远离所述图形化衬底的一侧形成平面。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述凸台为锥台、圆台或平顶蒙古包形状；所述图形化衬底设置所述凸台的表面除所述顶面外的其他面与所述顶面所在平面非平行。

6.根据权利要求1至4任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述凸台的侧面为一个面或包括多个第一子面，所述侧面为一个面时，所述侧面与所述顶面所在平面非平行；所述侧面包括多个第一子面时，每个子面与所述顶面所在平面非平行；

相邻所述凸台之间的所述图形化衬底的表面为一个面或包括多个第二子面，相邻所述凸台之间的所述图形化衬底的表面为一个面时，相邻所述凸台之间的所述图形化衬底的表面与所述顶面所在平面非平行；相邻所述凸台之间的所述图形化衬底的表面包括多个第二子面时，所述第二子面与所述顶面所在平面非平行。

7.根据权利要求1至4任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述凸台的高度为0.5-50um，所述顶面的形状为圆形或多边形，所述顶面距离最长的两点之间的距离为0.1-3um。

8.根据权利要求1至4任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述AlN缓冲层的厚度为5-200nm。

9.根据权利要求1至4任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述图形化衬底上所述凸台的图形周期为1-20um。

10.根据权利要求1至4任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述氮化物合并层包括GaN、AlN、AlGaN、InGaN、AlInGaN中的一种材料或多种材料的复合结构。