[实用新型]一种H桥级联多电平逆变器有效
申请号: | 201821119644.2 | 申请日: | 2018-07-16 |
公开(公告)号: | CN209120078U | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 余芙容;黄小光;栗晋杰;王利刚;刘志强;徐林东;季华龙;林晓凯;张鹏飞 | 申请(专利权)人: | 江苏力普电子科技有限公司 |
主分类号: | H02M7/483 | 分类号: | H02M7/483 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 226300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 输入开关柜 功率单元 级联多电平逆变器 本实用新型 隔离变压器 控制系统 多副边绕组变压器 移相隔离变压器 移相变压器 因数 高压电机 光纤连接 基波功率 结构原理 能量回馈 输入侧 变压器 电网 | ||
1.一种H桥级联多电平逆变器,包括输入开关柜(1)、移相隔离变压器(2)、功率单元(3)和控制系统(4),其特征在于:所述输入开关柜(1)一侧设有电网输入侧(5),所述移相隔离变压器(2)连接功率单元(3),且所述移相隔离变压器(2)和功率单元(3)均设置在输入开关柜(1)中,所述输入开关柜(1)通过光纤(6)连接控制系统(4),所述移相隔离变压器(2)连接高压电机(7);
所述功率单元(3)由整流电路、逆变电路及旁路电路三部分组成;所述功率单元(3)输入侧串接输入电抗器;所述整流电路包括并联连接的三组晶体管组和电解电容(8),分为第一晶体管组、第二晶体管组和第三晶体管组,所述第一晶体管组包括串联连接的场效应晶体管A(1a)和场效应晶体管B(2a);所述第二晶体管组包括串联连接的场效应晶体管C(3a)和场效应晶体管D(4a);所述第三晶体管组包括串联连接的场效应晶体管E(5a)和场效应晶体管F(6a);所述第一晶体管组和第二晶体管组之间并联连接电容A(1b);所述第二晶体管组和第三晶体管组之间并联连接电容B(2b);
所述逆变电路包括并联连接的第四晶体管组和第五晶体管组;所述第四晶体管组包括串联连接的场效应晶体管G(7a)和场效应晶体管H(8a);所述第五晶体管组包括串联连接的场效应晶体管I(9a)和场效应晶体管J(10a);所述第四晶体管组和第五晶体管组之间并联连接电容D(4b),所述第五晶体管组两端并联连接电容E(5b);
所述旁路电路包括串联连接的二极管A(1c)、二极管B(2c)以及串联连接的二极管C(3c)和二极管D(4c),两组串联电路并联连接,并联电路两端连接场效应晶体管K(11a)。
2.根据权利要求1所述的一种H桥级联多电平逆变器,其特征在于:所述控制系统(4)包括主控板(9),所述主控板(9)上设有双DSP板(10)、IO板(11)和光纤板(12),所述双DSP板(10)通过光纤板(12)连接功率单元控制电路(13),所述IO板(11)连接信号检测电路(14),所述双DSP板(10)通过RS485接口连接PLC控制器(15),所述PLC控制器(15)连接电气接口(16);所述PLC控制器(15)通过RS232接口连接触摸屏(17)。
3.根据权利要求1所述的一种H桥级联多电平逆变器,其特征在于:所述移相隔离变压器(2)采用副边(27)绕组的移相变压器。
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