[实用新型]三维集成光互连芯片有效
| 申请号： | 201821124540.0 | 申请日： | 2018-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN208444041U | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 涂芝娟;方青;汪巍;蔡艳;曾友宏;余明斌 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆 三维集成 光互连 芯片 背面 本实用新型 光耦合 光耦合端面 方向延伸 器件结构 球形焊点 制造成本 制造工艺 硅通孔 键合 延伸 | ||
【权利要求书】：
1.一种三维集成光互连芯片，其特征在于，包括：
器件晶圆，所述器件晶圆包括具有器件结构的正面以及与所述正面相对的背面，且所述器件晶圆具有自所述正面向所述背面方向延伸的硅通孔；
载体晶圆，与所述器件晶圆的正面键合；
所述器件晶圆的背面具有球形焊点以及自所述背面向所述正面延伸的光耦合端面。
2.根据权利要求1所述的三维集成光互连芯片，其特征在于，所述硅通孔内填充有导电材料。
3.根据权利要求2所述的三维集成光互连芯片，其特征在于，所述导电材料为铂、金、铜、钛和钨中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的三维集成光互连芯片，其特征在于，所述器件晶圆包括SOI衬底；所述器件晶圆的正面具有贯穿所述SOI衬底中顶层硅和埋氧化层的开口；键合材料层填充于所述开口内及所述顶层硅表面，所述载体晶圆通过所述键合材料层与所述器件晶圆的正面键合。
5.根据权利要求4所述的三维集成光互连芯片，其特征在于，所述键合材料层的材质为高分子临时键合材料。
6.根据权利要求1所述的三维集成光互连芯片，其特征在于，所述球形焊点位于所述硅通孔暴露于所述器件晶圆背面的端部。
7.根据权利要求4所述的三维集成光互连芯片，其特征在于，所述光耦合端面贯穿所述器件晶圆，并与所述开口对应设置。
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