[实用新型]一种光照强度检测模块的低功耗限流稳压保护电路有效

专利信息
申请号: 201821131662.2 申请日: 2018-07-17
公开(公告)号: CN208350207U 公开(公告)日: 2019-01-08
发明(设计)人: 刘颖异 申请(专利权)人: 合肥宽芯电子技术有限公司
主分类号: G01J1/44 分类号: G01J1/44
代理公司: 南京禾易知识产权代理有限公司 32320 代理人: 徐莉芳
地址: 230088 安徽省合肥市高新*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 光敏三极管 光照强度检测 稳压保护电路 运算放大器 光敏电阻 低功耗 电流镜 限流 运算放大器输入端 电路提供电源 光电信号处理 本实用新型 发射极接地 输出端连接 输入端正极 负极 光控电路 光敏电容 光敏器件 人工成本 发射极 集电极 兼容性 电阻 漏极 贴片 源极 串联 通用
【权利要求书】:

1.一种光照强度检测模块的低功耗限流稳压保护电路,其特征在于:包括光敏三极管、运算放大器、MOS管、电阻R1和电流镜,所述光敏三极管的发射极与MOS管的源极之间串联电阻R1,运算放大器输入端正极连接MOS管的漏极并输出电压,运算放大器输入端负极和输出端连接MOS管的栅极,光敏三极管的集电极和MOS管的发射极接地,电流镜用于给保护电路提供电源。

2.根据权利要求1所述的光照强度检测模块的低功耗限流稳压保护电路,其特征在于:所述运算放大器由第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管,电阻R2、电阻R3和电容C1组成,所述第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管的源级接地,第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管的栅极连接第一MOS管的漏极,第一MOS管的漏极连接电阻R2的一端,电阻R2的另一端连接第六MOS管的源级,第六MOS管的漏极连接第四MOS管的漏极,第四MOS管的源级分别连接第二MOS管的漏极和第五MOS管的源级,第四MOS管的栅极连接第三MOS管的漏极,第五MOS管的漏极连接第七MOS管的漏极,第六MOS管的栅极连接第七MOS管的栅极且第六MOS管的栅极连接第七MOS管的漏极,第七MOS管的漏极分别连接第八MOS管的栅极和电阻R3的一端,电阻R3的另一端连接电容C1的一端,电容C1的另一端、第八MOS管的漏极和第三MOS管的漏极共同连接MOS管的栅极,第六MOS管、第七MOS管和第八MOS管的源级共同连接MOS管的源极,第五MOS管的栅极连接MOS管的漏极。

3.根据权利要求2所述的光照强度检测模块的低功耗限流稳压保护电路,其特征在于:所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管和第五MOS管为P沟道MOS管,第六MOS管、第七MOS管和第八MOS管为N沟道MOS管。

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