[实用新型]一种晶体生长炉用保温侧屏有效
申请号: | 201821139698.5 | 申请日: | 2018-07-18 |
公开(公告)号: | CN208562588U | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
发明(设计)人: | 王大庆 | 申请(专利权)人: | 成都新源汇博光电科技有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B35/00 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 胡川 |
地址: | 610207 四川省成都市高*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 外屏 内屏 侧屏 保温 本实用新型 晶体生长炉 同心设置 筋条 筒状 晶体生长装置 加固组件 径向筋条 籽晶杆 减小 均布 组设 坍塌 变形 错位 穿过 | ||
本实用新型公开了一种晶体生长炉用保温侧屏,涉及晶体生长装置技术领域。本实用新型包括内屏组和外屏组,内屏组由若干筒状内屏同心设置形成,外屏组由若干筒状外屏同心设置形成;内屏组设于外屏组内,内屏组的高度小于外屏组;外屏组上布置有若干筋条,穿过外屏组与内屏组将其固定连接;筋条在外屏组的圆周上均布。本实用新型的径向筋条骨架可以提高整个保温侧屏的机械强度,避免出现相邻内、外屏的连锁坍塌,而加固组件可以减小保温侧屏径向上的变形错位,避免影响籽晶杆的正常工作。
技术领域
本实用新型涉及晶体生长装置技术领域,特别是一种晶体生长炉用保温侧屏。
背景技术
晶体生长炉是单晶体生长设备,按照晶体生长方法可分为提拉法浸提生长炉、坩埚下降法晶体生长炉、区熔法晶体生长炉等。提拉法又称乔赫拉斯基法,是半导体领域中应用最广,产量最大的单晶制备方法。基本原理是利用单晶籽晶从坩埚熔体中向上提拉,使晶体按籽晶的晶向垂直向上生长成所需直径的单晶,晶体生长炉的基本结构包括炉室、内置坩埚、保温罩、加热系统和抽真空系统等。
现有的保温罩一般为金属制,由上屏蔽装置、下屏蔽装置和直筒状的侧屏蔽装置组成,上屏蔽装置、下屏蔽装置分别盖合在侧屏蔽装置的上下两个端口上。上、下屏蔽装置和侧屏蔽装置围合形成一个保温腔室,用于盛放高温熔体的坩埚放置在该保温腔室中,连接有单晶籽晶的籽晶杆穿过上屏蔽装置的开口伸入坩埚中。由于晶体生长所需的温度一般高达数千度,这就对保温罩的结构设计和制造工艺提出了极高的要求。
目前,金属侧屏面临的主要问题有两点:(1)因局部强度不够造成加热后容易形成坍塌,从而导致热场整体结构遭受很大程度上的破坏,影响热场温度的均匀分布;(2)因变形难以保持特定的几何形状,从而引起上屏错位锁死,影响籽晶杆的升降旋转。鉴于以上出现的问题,迫切需要对现有金属侧屏的设计进行突破和创新。
实用新型内容
本实用新型的发明目的在于:针对高温引起金属侧屏坍塌造成温场结构被破坏的问题,以及上屏错位锁死影响籽晶杆正常工作的问题,本实用新型提供一种晶体生长炉用保温侧屏。
本实用新型采用的技术方案如下:一种晶体生长炉用保温侧屏,包括内屏组和外屏组,所述内屏组由若干筒状内屏同心设置形成,所述外屏组由若干筒状外屏同心设置形成;所述内屏组设于外屏组内,所述内屏组的高度小于外屏组;所述外屏组上布置有若干筋条,穿过外屏组与内屏组将其固定连接;所述筋条在外屏组的圆周上均布。
由于上述结构的设置,若干筋条形成保温侧屏的径向骨架,将内屏组和外屏组整合成一个有机整体,提高整个保温侧屏的机械强度。当保温侧屏的某一内屏或外屏由于强度不足而出现变形时,若干筋条形成的径向骨架可以弥补局部强度不足的缺陷,避免其引起相邻内、外屏的连锁坍塌。
进一步地,所述内屏组的若干内屏之间设置有一定的间距,且任意相邻的内屏之间的间距相等;所述外屏组的若干外屏之间设置有一定的间距,且任意相邻的外屏之间的间距相等。
由于上述结构的设置,等间距设置的若干内屏和外屏在坩埚外围形成的温场结构更稳定,温场温度分布更均匀,有利于提高晶体生长的效率。
进一步地,所述外屏组上设有若干加固组件,所述加固组件包括固定连接的保持板与延长支撑板,所述延长支撑板在外屏组外壁被筋条固定连接;所述保持板在内屏组和外屏组的顶部将其二者限定。
由于上述结构的设置,保持板通过延长支撑板固定在最外层的外屏外壁上,与筋条形成的径向骨架连接成整体,进一步加强保温侧屏的机械强度,同时还能够避免保持板由于内、外屏组的变形挤压而与内、外屏组分离。
进一步地,所述保持板呈阶梯状设置;所述保持板的底面设有若干保持齿,任意两个保持齿之间设有一定间隙;使所述保持板的保持齿能插入内屏组和外屏组的间距内,限定内屏组和外屏组活动。
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