[实用新型]电压处理装置

权利要求书

1.一种电压处理装置，其特征在于，包括：

输入端连接第一电子器件输出端的滤波组件；

第一端与所述滤波组件的输出端连接，第二端与第二电子器件的输入端连接、以及第三端与第二电子器件的供电电源连接的第一变压组件；

第一端与第一电子器件的输出端连接、第二端接地、以及第三端分别与所述第一变压组件的第二端以及所述第二电子器件的输入端连接的第二变压组件；

所述滤波组件接收所述第一电子器件的输出信号，将所述输出信号的信号振幅输出至所述第一变压组件的第一端；

所述第一变压组件的第一端接收的所述滤波组件输出的信号振幅为高电平时，为截止状态；所述第二变压组件第一端在接收到所述第一电子器件的输出信号为高电平信号时，为导通状态，所述第二变压组件的第三端输出低电平信号至所述第二电子器件；

所述第一变压组件的第一端接收的所述滤波组件输出的信号振幅为低电平时，为导通状态；所述第二变压组件第一端在接收到所述第一电子器件的输出信号为低电平信号时，为截止状态；所述第一变压组件在导通状态时，通过第二端输出与所述第二电子器件的供电电源一致的高电平信号至所述第二电子器件。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：输入端与所述第一变压组件的第一端以及所述滤波组件的输出端连接、以及输出端与所述第一变压组件的第二端连接的回授组件；

所述回授组件用于在所述第一变压组件导通时，将所述第一变压组件的第二端输出的与所述第二电子器件工作电压一致的信号输出至所述第一变压组件的第一端，将所述滤波组件输出的所述第一电子器件输出信号的信号振幅转变为与所述第二电子器件的工作电压一致。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：输入端与所述第一变压组件第二端以及所述第二变压组件第三端连接、输出端与所述第二电子器件的输入端连接、第一电平端与所述第二电子器件的供电电源连接、以及第二电平端接地的第一反相器；

所述第一反相器用于在所述第一变压组件处于截止状态时，将所述第二变压组件的第三端输出的低电平信号转换为与所述第二电子器件的供电电源一致的高电平信号输出至所述第二电子组件；在所述第一变压组件处于导通状态时，将其在第二端输出与所述第二电子器件的供电电源一致的高电平信号转换为低电平信号输出至所述第二电子器件。

4.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述回授组件包括：第二反相器。

5.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述第一反相器包括第一N型场效应管NMOS以及第一P型场效应管PMOS；

所述第一N型场效应管NMOS的源极与所述第二电子器件的供电电源连接；所述第一P型场效应管PMOS的源极接地；

所述第一P型场效应管PMOS的漏极与所述第一N型场效应管NMOS的漏极相连，够成所述第一反相器的输出端；

所述第一P型场效应管PMOS的栅极以及所述第一N型场效应管NMOS的栅极相连，构成所述第一反相器的输入端。

6.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述第二反相器包括：第二N型场效应管NMOS以及第二P型场效应管PMOS；

所述第二N型场效应管NMOS的源极与所述第二电子器件的供电电源连接；所述第二P型场效应管PMOS的源极接地；

所述第二PMOS的漏极与所述第二N型场效应管NMOS的漏极相连，够成所述第二反相器的输出端；

所述第二P型场效应管PMOS的栅极与所述第二N型场效应管NMOS的栅极相连，构成所述第二反相器的输入端。

7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述滤波组件包括：滤波电容。

8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一变压组件包括第三N型场效应管，所述第二变压组件包括第三P型场效应管；

所述第一变压组件的第一端为所述第三N型场效应管的栅极，第二端为所述第三N型场效应管的漏极，以及第三端为所述第三N型场效应管的源极；

所述第二变压组件的第一端为所述第三P型场效应管的栅极；第二端为所述第三P型场效应管的源极，以及第三端为所述第三P型场效应管的漏极。