[实用新型]上升沿触发电路、驱动芯片及照明驱动系统

权利要求书

1.一种上升沿触发电路，其特征在于，所述上升沿触发电路用于检测整流后的前沿切相调光器开启时刻的电压上升沿信号，并在检测到所述电压上升沿信号后触发所述上升沿触发电路开始工作以控制所述前沿切相调光器进入导通状态，并根据所述电压上升沿信号控制所述上升沿触发电路工作预设时间后关闭。

2.如权利要求1所述的上升沿触发电路，其特征在于，所述上升沿触发电路包括上升沿检测及开关控制单元、限流单元以及开关；

所述上升沿检测及开关控制单元，第一输入端用于检测所述电压上升沿信号，第二输入端接地，输出端电连接所述开关的控制端；

所述限流单元与所述开关串联后电连接至所述上升沿检测及开关控制单元的第一输入端与地之间；

所述上升沿检测及开关控制单元在检测到所述电压上升沿信号后控制所述开关导通，并根据所述电压上升沿信号控制所述开关导通预设时间后关闭。

3.如权利要求2所述的上升沿触发电路，其特征在于，所述上升沿检测及开关控制单元包括串联的第一电容和第一电阻，所述开关采用功率MOS管；

所述第一电容的第一端用于检测所述电压上升沿信号，所述第一电容的第二端电连接所述第一电阻的第一端，所述第一电阻的第二端接地，所述第一电容和所述第一电阻的公共端电连接所述功率MOS管的栅端；

所述功率MOS管与所述限流单元串联后电连接至所述第一电容的第一端与地之间；

其中，在所述前沿切相调光器开启时刻，所述第一电容检测到所述电压上升沿信号后开始充电，充电电流流过所述第一电阻产生压降控制所述功率MOS管导通，以控制所述前沿切相调光器进入导通状态，所述功率MOS管导通预设时间后关闭。

4.如权利要求3所述的上升沿触发电路，其特征在于，所述功率MOS管的导通时间为时间常数(1/(R1*C1))，其中，R1为所述第一电阻的阻值，C1为所述第一电容的容值。

5.如权利要求3所述的上升沿触发电路，其特征在于，所述第一电容的容值为0.1-0.9nF。

6.如权利要求3所述的上升沿触发电路，其特征在于，所述功率MOS管的导通时间为100～300us。

7.如权利要求3所述的上升沿触发电路，其特征在于，所述限流单元包括第二电阻，所述第二电阻的第一端电连接至所述第一电容的第一端，所述第二电阻的第二端电连接所述功率MOS管的漏极，所述功率MOS管的源极接地；所述第一电阻的阻值为10-100KΩ，所述第二电阻的阻值为1-9KΩ。

8.如权利要求7所述的上升沿触发电路，其特征在于，所述限流单元进一步包括第三电阻，所述第三电阻的第一端电连接所述功率MOS管的源极，所述第三电阻的第二端接地；所述第三电阻的阻值为10-100Ω。

9.如权利要求3所述的上升沿触发电路，其特征在于，所述限流单元进一步包括第三电阻，所述第三电阻的第一端电连接与所述功率MOS管的源极电连接，所述第三电阻的另一端第二端与整流桥的另一端电连接接地；所述第一电阻的阻值为10-100KΩ所述第三电阻的阻值为10-100Ω。

10.如权利要求3所述的上升沿触发电路，其特征在于，所述上升沿检测及开关控制单元进一步包括钳位二极管、整流二极管和第二电容；

所述钳位二极管，阳极电连接所述第一电容的第二端，阴极接地；

所述整流二极管，阳极电连接所述第一电容的第二端，阴极同时电连接所述第一电阻的第一端、所述第二电容的第一端以及所述功率MOS管的栅端；

所述第二电容的第二端接地，所述第二电容的容值大于所述第一电容的容值；

其中，在所述前沿切相调光器开启时刻，所述第一电容检测到所述电压上升沿信号后，所述第一电容和所述第二电容同时开始充电，所述第一电容的充电电流流过所述第一电阻产生压降控制所述功率MOS管导通，所述第二电容的充电电流用以维持所述第一电阻两端的压降，所述功率MOS管导通预设时间后关闭。