[实用新型]清洗装置有效
申请号: | 201821144103.5 | 申请日: | 2018-07-18 |
公开(公告)号: | CN208400820U | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 卢思源;刘家桦;叶日铨 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B9/032 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;董琳 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 输入管路 化学药液 清洗装置 自清洗 处理腔室 本实用新型 一端连接 残留 | ||
本实用新型涉及一种清洗装置,包括:处理腔室;化学药液管路;自清洗管路;输入管路,所述输入管路的一端通入所述处理腔室,另一端连接至所述化学药液管路和自清洗管路。所述清洗装置能够对输入管路进行自清洗,避免输入管路内的化学药液残留。
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,尤其涉及一种清洗装置。
背景技术
随着半导体芯片的尺寸越来越小,对晶圆表面的洁净度控制越来越严格。因此,湿法清洗在半导体制程中占很大比例,而湿法清洗都会用到一些化学药液。
在晶圆清洗的过程中会用到一些容易结晶的化学品,例如TMAH、SPA、NE111等,这些化学药液在高温失去水分的情况下很容易结晶析出,对药液的回收和使用产生影响。
目前,在单个机台中,输送药液的管道没有自动清洗的设计。因此在湿法清洗工艺过后,管道内会有残留的化学药液,这些化学药液失去水分后容易结晶附着在管道内壁。在下一次工艺进行时,则需要大量的化学药液进行预冲洗,造成药液的浪费。并且预冲洗并不能保证管道内结晶被完全排出,从而在清洗工艺进行时造成缺陷。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是,提供一种清洗装置,能够在化学药液清洗之后对管路进行自清洗以去除管路内的化学药液。
为了解决上述问题,本实用新型提供了一种清洗装置包括:处理腔室;化学药液管路;自清洗管路;输入管路,所述输入管路的一端通入所述处理腔室,另一端具有两个输入口,分别连接至所述化学药液管路和自清洗管路。
可选的,所述输入管路通过三向阀连接至所述化学药液管路和所述自清洗管路。
可选的,所述自清洗管路上安装有自清洗加热器。
可选的,所述自清洗管路的输入端具有两个输入口,用于分别连接至去离子水源和干燥气体源。
可选的,所述化学药液管路包括一循环管路,所述循环管路上设置有续液池、化学药液加热器以及过滤器,所述续液池用于连接至化学药液源。
可选的,所述输入管路连接至所述过滤器与续液池之间。
可选的,还包括:排液管路,所述排液管路的一端与所述处理腔室连通,用于排出所述处理腔室内的废液;在线电阻检测器,安装于所述排液管路上,用于实时检测排出所述排液管路内的废液的电阻。
可选的,所述输入管上安装有节流阀。
可选的,还包括排气管路,一端与所述处理腔室连通,用于排出所述处理腔室内的废气。
本实用新型的清洗装置具有自清洗管路,能够在通入化学药液进行清洗工艺之后,对输入管路内的化学药液进行清洗,因此无需在下次的清洗工艺进行时对输入管路进行预冲洗,从而可以节约药液,并且避免在输入管路内形成结晶颗粒污染。
附图说明
图1为本实用新型一具体实施方式的清洗装置的结构示意图;
图2为所述清洗装置在对晶圆进行清洗工艺时管路内的液体流向示意图;
图3为所述清洗装置在对输入管路进行自清洗工艺时管路内的液体流向示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型提供的清洗装置的具体实施方式做详细说明。
请参考图1,为本实用新型一具体实施方式的清洗装置的结构示意图。
所述清洗装置包括:处理腔室100;化学药液管路110;自清洗管路120;输入管路130。
所述输入管路130的一端通入所述处理腔室100,另一端连接至所述化学药液管路110和自清洗管路120。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造