[实用新型]一种砂粉回收装置

说明书

本实用新型提供了一种砂粉回收装置，包括沉淀机构和设置于沉淀机构上的盖板机构，沉淀机构包括沉淀槽、第一隔板、第二隔板和设置于沉淀槽上的进水口、第一排水口、第二排水口，沉淀槽为两端封闭的凹形槽，进水口还靠近沉淀槽的槽口设置，进水口连接于背损伤机的砂液排放端口，沉淀槽的另一侧面还设有第二排水口；第一隔板设置于沉淀槽的内部，第二隔板固定于沉淀槽内，盖板机构设置于沉淀槽的槽口处；盖板机构包括板体和设置于板体上的把手，板体的底面覆盖于沉淀槽的槽口处，板体底面的大小大于沉淀槽槽口的大小，把手与第二隔板分别设置于板体的两侧。本实用新型可以对背部损伤机排放的大部分砂粉实现回收利用，降低生产成本。

技术领域

本实用新型属于单晶硅抛光片背面软损伤吸杂技术领域，主要目的是提供一种用于硅片背面软损伤的砂粉回收装置。

背景技术

金属沾污、晶格缺陷在半导体器件生产的过程中是无处不在的，而杂质吸除是减少硅片中金属杂质、降低某些晶格缺陷、提高硅片质量的行之有效的方法。随着集成电路（IC）的发展，对硅材料的质量提出越来越高的要求。为了满足超大规模集成电路发展的需要，除了改进单晶硅生产技术外，通常在IC用硅片背面进行特殊的加工，具体为用杂质吸除技术保证硅片的质量，常用的技术为采用喷砂法以使硅片背面形成软损伤，从而实现其金属及晶格缺陷的吸除性能。喷砂发是一种比较常见的背面软损伤工艺，该工艺主要采用混有一定粒径的颗粒状砂粉（如SiO₂）的水溶液形成的砂浆，在一定压空压力下带动砂浆对在移动传送带上的硅片进行喷砂，以达到在硅片表面形成一层软损伤层的方法。由于硅片在背面软损伤到清洗的整个过程中都是在湿法工艺中进行的，大量的砂粉会在硅片表面随着纯水的冲洗而流失，砂粉随冲洗水杯排入下水地沟中，进而造成大量砂粉的浪费。

实用新型内容

为解决上述问题，本实用新型提供一种砂粉回收装置，可以对背部损伤机排放的大部分砂粉实现回收利用，大幅度降低了砂粉的消耗量，降低生产成本。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为：

一种砂粉回收装置，包括沉淀机构和设置于沉淀机构上的盖板机构，其特征在于：所述沉淀机构包括沉淀槽、第一隔板、第二隔板和设置于沉淀槽上的进水口、第一排水口、第二排水口，所述沉淀槽为两端封闭的凹形槽，所述进水口和所述第一排水口设置于所述沉淀槽的一侧面，进水口还靠近沉淀槽的槽口设置，所述进水口连接背损伤机的砂液排放端口，所述第一排水口靠近沉淀槽的底部设置，沉淀槽的另一侧面还设有所述第二排水口；所述第一隔板设置于所述沉淀槽的内部，第一隔板还分别与沉淀槽的槽底和两个侧壁相接触，所述第二隔板固定于所述沉淀槽内，第二隔板的两端分别连接于沉淀槽两侧的内壁，所述盖板机构设置于沉淀槽的槽口处；所述盖板机构包括板体和设置于板体上的把手，所述板体的底面覆盖于所述沉淀槽的槽口处，板体底面的大小大于沉淀槽槽口的大小，所述把手与所述第二隔板分别设置于板体的两侧。

进一步的，所述沉淀槽的底部还设有便于砂粉回收装置移动和放置的四个脚轮。

进一步的，所述沉淀槽上还设有溢流口，所述溢流口的水平高度与所述进水口的水平高度相一致。

进一步的，所述第一排水口、所述第二排水口和溢流口还均连接于下水管道。

进一步的，所述第二排水口的水平高度低于所述进水口的水平高度且高于所述第一排水口的水平高度。

进一步的，沉淀槽的槽底和两个侧壁还分别设有可供第一隔板放置的凹槽，第一隔板还垂直设置于槽底和两个侧壁的凹槽中，第二隔板一端的水平高度与沉淀槽槽口的水平高度相同，第二隔板的另一端设置于沉淀槽的内部。

进一步的，所述第一隔板和所述第二隔板均设置为两个，第一隔板与第二隔板还互为交替设置。

本实用新型的有益效果为：