[实用新型]用于锂电池保护的衬底切换电路

说明书

本实用新型提供的用于锂电池保护的衬底切换电路，包括一锂电池保护芯片、NMOS管M0、衬底控制电路和栅极控制电路；所述锂电池保护芯片通过所述衬底控制电路连接NMOS管M0的衬底；锂电池保护芯片还通过所述栅极控制电路连接NMOS管M0的栅极；NMOS管M0的漏极接地，NMOS管M0的源极输出至电池包的负极。该电路只需要一个NMOS管M0实现，相对于现有技术中需要两个外置NMOS管的方案，降低成本。本申请还可以根据具体情况自行选择NMOS管M0的大小，相对于现有技术中采用全集成芯片的方案，灵活度更高。

技术领域

本实用新型属于电子信息技术领域，具体涉及用于锂电池保护的衬底切换电路。

背景技术

现有的锂电池保护电路的电路图，如图1、图2所示。图1是在锂电池保护芯片外围加上两个外置NMOS管，图2是采用了全集成的芯片，即将MOS管集成到了芯片内部。

图1的锂电池保护电路，可以灵活的选择外部NMOS管的大小，灵活度高，但是由于采用两个外置NMOS管，成本较高。图2的锂电池保护电路，通过集成NMOS的方式，可以有效的降低成本，但是其不能选择外部NMOS管的大小，灵活度较差。

实用新型内容

针对现有技术中的缺陷，本实用新型提供用于锂电池保护的衬底切换电路，既能有效地降低成本，又可以灵活配置各种NMOS管。

一种用于锂电池保护的衬底切换电路，包括一锂电池保护芯片、NMOS管 M0、衬底控制电路和栅极控制电路；

所述锂电池保护芯片通过所述衬底控制电路连接NMOS管M0的衬底；锂电池保护芯片还通过所述栅极控制电路连接NMOS管M0的栅极；NMOS管M0的漏极接地，NMOS管M0的源极输出至电池包的负极。

进一步地，所述衬底控制电路包括NMOS管M1和NMOS管M2；

NMOS管M1的源极输出至电池包的负极，NMOS管M1的栅极接锂电池保护芯片的DO口，NMOS管M1的衬底接NMOS管M1的漏极，NMOS管M1的漏极接 NMOS管M2的漏极，NMOS管M2的衬底接NMOS管M2的漏极，NMOS管M2的栅极接锂电池保护芯片的CO口，NMOS管M2的源极接地，NMOS管M1的漏极与 NMOS管M2的漏极之间的节点接所述NMOS管M0的衬底。

进一步地，所述栅极控制电路包括反相器L1、反相器L2、开关K1和开关 K2；

反相器L1的输入端和电源端接所述锂电池保护芯片的CO口，反相器L1 的接地端接地，反相器L1的输出端接开关K1的控制端；

反相器L2的输入端和电源端接所述锂电池保护芯片的DO口，反相器L2 的接地端接地，反相器L2的输出端接开关K2的控制端；

开关K1的一输出端输出至所述电池包的负极，开关K1的另一输出端接开关K2的一输出端，开关K2的另一输出端接地，开关K1和开关K2之间的节点接所述NMOS管M0的栅极。

进一步地，所述锂电池保护芯片的型号为DW01。

由上述技术方案可知，本实用新型提供的用于锂电池保护的衬底切换电路，只需要一个NMOS管M0实现，相对于现有技术中需要两个外置NMOS管的方案，降低成本。本申请还可以根据具体情况自行选择NMOS管M0的大小，相对于现有技术中采用全集成芯片的方案，灵活度更高。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。在所有附图中，类似的元件或部分一般由类似的附图标记标识。附图中，各元件或部分并不一定按照实际的比例绘制。

图1为现有技术中一种锂电池保护电路的电路图示意图。