[实用新型]聚硅氧烷母粒的上料装置有效
| 申请号： | 201821149796.7 | 申请日： | 2018-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN208856329U | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 雷霆;徐龙平 | 申请（专利权）人： | 成都思立可科技有限公司 |
| 主分类号： | B65G33/14 | 分类号： | B65G33/14;B65G33/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610300 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提升盘 聚硅氧烷 母粒 上料装置 护柱 柱体 本实用新型 底部连接 体内部 底座 电机 产品污染 连接设置 螺旋连接 内壁接触 向上延伸 柱体顶部 出料盘 进料盘 外周 黏附 清洗 | ||
【权利要求书】：
1.聚硅氧烷母粒的上料装置，其特征在于：包括底座、柱体、电机；柱体内部设置有中心护柱，中心护柱连接设置在柱体顶部的电机，柱体底部连接底座；
柱体内部，中心护柱的外周螺旋连接有平面提升盘，平面提升盘的内侧直接与中心护柱接触，平面提升盘的外侧直接与柱体的内壁接触；平面提升盘的底部连接进料盘，平面提升盘的顶部连接出料盘；
平面提升盘向上延伸的方向与水平面的夹角α是5°-20°。
2.根据权利要求1所述的上料装置，其特征在于：所述中心护柱是空心结构。
3.根据权利要求1所述的上料装置，其特征在于：所述夹角α是10°-15°。
4.根据权利要求1所述的上料装置，其特征在于：所述平面提升盘在其与外侧40％-60％的横向距离处设置若干凸起结构。
5.根据权利要求4所述的上料装置，其特征在于：高度方向上相邻的凸起结构之间的距离是15cm-20cm。
6.根据权利要求1所述的上料装置，其特征在于：平面提升盘在高度方向上设置有加固筋。
7.根据权利要求1所述的上料装置，其特征在于：底座与地面固定连接，并且底座内设置有减震结构。
8.根据权利要求1所述的上料装置，其特征在于：所述电机是偏心震动电机。
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