[实用新型]一种聚对苯二甲酸乙二酯衬底异质结构有效
| 申请号： | 201821151831.9 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN208478342U | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 李昱材;张东;赵琰;王健;宋世巍;王刚;丁艳波;王晗;刘莉莹 | 申请（专利权）人： | 沈阳工程学院 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/43 |
| 代理公司： | 沈阳铭扬联创知识产权代理事务所(普通合伙) 21241 | 代理人： | 吕敏 |
| 地址： | 110136 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 聚对苯二甲酸乙二酯 异质结构 材料层 可逆 衬底 半导体 抗腐蚀保护层 金属 第二导电层 第一导电层 光存储器件 结构可靠性 光电开关 器件功率 温度驱动 长寿命 衬底层 低功率 消耗 应用 制造 | ||
【权利要求书】：
1.一种聚对苯二甲酸乙二酯衬底异质结构，其特征在于：从下到上依次包括普通聚对苯二甲酸乙二酯衬底层、第一导电层、SnO2材料层、VO2材料层、第二导电层、抗腐蚀保护层。
2.根据权利要求1所述聚对苯二甲酸乙二酯衬底异质结构，其特征在于：所述第一导电层和第二导电层均为AZO透明导电薄膜。
3.根据权利要求1所述聚对苯二甲酸乙二酯衬底异质结构，其特征在于：所述第一导电薄膜和第二导电薄膜的厚度为100nm至800nm。
4.根据权利要求1所述聚对苯二甲酸乙二酯衬底异质结构，其特征在于：所述SnO2材料层厚度为500nm至900nm。
5.根据权利要求1所述聚对苯二甲酸乙二酯衬底异质结构，其特征在于：所述VO2材料层厚度为400nm至900nm。
6.根据权利要求1所述的聚对苯二甲酸乙二酯衬底异质结构，其特征在于：所述抗腐蚀保护层为TiN抗腐蚀保护层。
7.根据权利要求6所述的聚对苯二甲酸乙二酯衬底异质结构，其特征在于：所述TiN抗腐蚀保护层厚度为500nm至900nm。
8.根据权利要求1所述的聚对苯二甲酸乙二酯衬底异质结构，其特征在于：所述聚对苯二甲酸乙二酯衬底层的厚度为0.4～1.2mm。
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