[实用新型]静电保护电路、阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种静电保护电路，其特征在于，所述静电保护电路包括：至少一个第一晶体管、至少一个第二晶体管、至少一个电阻和静电防护线；

每个所述第一晶体管的栅极和第二极均与所述静电防护线连接，每个所述第一晶体管的第一极与信号线连接；

每个所述第二晶体管的栅极和第二极均与所述信号线连接，每个所述第二晶体管的第一极与所述静电防护线连接；

所述至少一个第一晶体管和所述至少一个第二晶体管中，至少一个晶体管的栅极和第二极之间串联有一个所述电阻。

2.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，所述静电保护电路包括：至少两个所述电阻；

至少一个所述第一晶体管的栅极和第二极之间串联一个所述电阻；

至少一个所述第二晶体管的栅极和第二极之间串联一个所述电阻。

3.根据权利要求2所述的静电保护电路，其特征在于，所述静电保护电路包括：两个所述第一晶体管，两个所述第二晶体管以及两个所述电阻；

两个所述电阻中，一个电阻串联在一个所述第一晶体管的栅极和第二极之间，另一个电阻串联在一个所述第二晶体管的栅极和第二极之间。

4.根据权利要求2所述的静电保护电路，其特征在于，所述静电保护电路包括：两个所述第一晶体管，两个所述第二晶体管，以及四个所述电阻；

每个晶体管的栅极和第二极之间串联一个所述电阻。

5.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，所述静电防护线包括：第一放电线和第二放电线，所述第一放电线和所述第二放电线提供的信号的电压不同；

每个所述第一晶体管的栅极和第二极均与所述第一放电线连接，每个所述第二晶体管的第一极与所述第二放电线连接。

6.根据权利要求5所述的静电保护电路，其特征在于，

所述第一放电线提供的信号的电压相对于所述第二放电线提供的信号的电压为高电压，每个所述晶体管均为P型晶体管。

7.根据权利要求5所述的静电保护电路，其特征在于，

所述第一放电线提供的信号的电压相对于所述第二放电线提供的信号的电压为低电压，每个所述晶体管均为N型晶体管。

8.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，所述静电防护线为公共电极线。

9.根据权利要求1至8任一所述的静电保护电路，其特征在于，每个晶体管均为薄膜晶体管；

每个所述电阻与所述薄膜晶体管的有源层同层设置。

10.根据权利要求9所述的静电保护电路，其特征在于，所述信号线为数据线；

每个晶体管的栅极与所述静电防护线同层设置，每个晶体管的第一极和第二极与所述信号线同层设置；

每个所述第一晶体管的第二极通过过孔与所述静电防护线连接，每个所述第二晶体管的第一极通过过孔与所述静电防护线连接，每个所述电阻通过过孔分别与晶体管的栅极和第二极连接。

11.根据权利要求9所述的静电保护电路，其特征在于，

每个所述电阻和所述有源层均由多晶硅材料制成。

12.根据权利要求9所述的静电保护电路，其特征在于，

每个所述电阻呈蛇形、锯齿形或者弧形。

13.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

信号线，以及与所述信号线连接的如权利要求1至12任一所述的静电保护电路。

14.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：如权利要求13所述的阵列基板。