[实用新型]绝缘栅双极晶体管设备

权利要求书

1.一种绝缘栅双极晶体管IGBT设备，包括：

有源区；

无源区；

沟槽，所述沟槽沿着所述有源区中的纵向轴线延伸；

第一台面，所述第一台面限定所述沟槽的第一侧壁并且与所述沟槽平行；和

第二台面，所述第二台面限定所述沟槽的第二侧壁并且与所述沟槽平行，

其中，所述第一台面的至少一部分包括所述IGBT设备的有源区段，以及

所述第二台面的至少一部分包括所述IGBT设备的无源区段。

2.根据权利要求1所述的IGBT设备，其中所述有源区段是第一有源区段，所述无源区段是第一无源区段，所述第一台面的所述至少一部分包括所述第一台面的第一部分，并且所述第二台面的所述至少一部分包括所述第二台面的第一部分，所述IGBT设备还包括：

第二有源区段，所述第二有源区段被包括在所述第二台面的第二部分中；以及

第二无源区段，所述第二无源区段被包括在所述第一台面的第二部分中。

3.根据权利要求1所述的IGBT设备，其中：

所述第一台面是被包括在所述有源区中的有源台面，并且所述第二台面是被包括在所述无源区中的无源台面；并且

所述无源区是所述IGBT设备的终止区。

4.一种绝缘栅双极晶体管IGBT设备，包括：

有源区；

无源区；

沟槽，所述沟槽沿着所述有源区中的纵向轴线延伸；

第一台面，所述第一台面限定所述沟槽的第一侧壁并且与所述沟槽平行；

第二台面，所述第二台面限定所述沟槽的第二侧壁并且与所述沟槽平行；

所述IGBT设备的第一有源区段，所述IGBT设备的所述第一有源区段被包括在所述第一台面的第一部分中；

所述IGBT设备的第一无源区段，所述IGBT设备的所述第一无源区段被包括在所述第一台面的第二部分中；

所述IGBT设备的第二有源区段，所述IGBT设备的所述第二有源区段被包括在所述第二台面的第一部分中；以及

所述IGBT设备的第二无源区段，所述IGBT设备的所述第二无源区段被包括在所述第二台面的第二部分中。

5.根据权利要求4所述的IGBT设备，其中：

所述无源区包括所述IGBT设备的终止区，所述终止区至少部分地围绕所述有源区；

所述第一台面沿着所述纵向轴线是不均匀的；

所述第二台面沿着所述纵向轴线是不均匀的；

所述IGBT设备的所述第一有源区段和所述第二有源区段包括源极注入物；并且

所述IGBT设备的所述第一无源区段和所述第二无源区段不包括所述源极注入物。

6.根据权利要求4所述的IGBT设备，其中：

所述第一台面的所述第一部分包括具有第一宽度的半导体材料，沿着所述第一台面的所述第一部分的所述沟槽的所述第一侧壁上设置有第一厚度的电介质；并且

所述第一台面的所述第二部分包括具有第二宽度的半导体材料，沿着所述第一台面的所述第二部分的所述沟槽的所述第一侧壁上设置有第二厚度的电介质，

所述第一宽度大于所述第二宽度，并且

所述第一厚度小于所述第二厚度。

7.根据权利要求4所述的IGBT设备，其中：

所述IGBT设备的所述第一有源区段是所述IGBT设备的第一发射极区段；

所述IGBT设备的所述第二有源区段是所述IGBT设备的第二发射极区段；

所述第一台面的所述第一部分是所述第一台面的半导体部分；并且

所述第一台面的所述第二部分是所述第一台面的电介质部分。

8.根据权利要求7所述的IGBT设备，其中所述第一台面的所述电介质部分是所述第一台面的电介质填充部分。