[实用新型]过压保护电路、集成高压电路及集成低压电路有效

专利信息
申请号: 201821169113.4 申请日: 2018-07-20
公开(公告)号: CN208820464U 公开(公告)日: 2019-05-03
发明(设计)人: 张杰;刘勇江;袁俊;陈光胜 申请(专利权)人: 上海东软载波微电子有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李笑笑;吴敏
地址: 200235 上海市徐汇区*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 比较器模块 过压保护电路 开关控制模块 耦接 电阻分压 清零 上电 逻辑处理模块 产生模块 低压电路 集成高压 输出端 输入端 电路 过压保护信号 输入参考电压 降低功耗 逻辑处理 模块耦接 电阻 输出 应用
【权利要求书】:

1.一种过压保护电路,其特征在于,包括:PWM信号产生模块、电阻分压模块、上电清零模块、开关控制模块、比较器模块和逻辑处理模块,其中:

所述PWM信号产生模块,输出端分别与所述电阻分压模块和所述上电清零模块耦接;

所述电阻分压模块,与所述开关控制模块耦接,用于接收所述PWM信号产生模块输出的PWM信号,并产生采样电压信号输出至所述开关控制模块;

所述上电清零模块,与所述开关控制模块耦接,用于产生高电平清零信号并输出至所述开关控制模块,以使所述采样电压信号降低;

所述开关控制模块,与所述比较器模块的第一输入端耦接,用于接收所述采样电压信号和所述清零信号,产生开关信号并输出至所述比较器模块的第一输入端;

所述比较器模块,第二输入端适于输入参考电压信号,用于产生过压保护信号;

所述逻辑处理模块,与所述比较器模块的输出端耦接,用于对所述比较器模块输出的过压保护信号进行逻辑处理。

2.根据权利要求1所述的过压保护电路,其特征在于,所述电阻分压模块包括以下任意一种电路:第一分压电路和第二分压电路,其中:

所述第一分压电路包括:第一NMOS管、第一电阻、第二电阻和第三电阻,其中:

所述第一NMOS管,所述第一NMOS管的栅极与所述PWM信号产生模块耦接,接入所述PWM信号,所述第一NMOS管的源极接地,所述第一NMOS管的漏极与所述第一电阻的第二端口耦接;

所述第一电阻,所述第一电阻的第一端口与所述第二电阻的第二端口、所述开关控制模块耦接;

所述第二电阻,所述第二电阻的第一端口与所述第三电阻的第二端口耦接;

所述第三电阻,所述第三电阻的第一端口接电源电压;

所述第二分压电路包括:

第九PMOS管、第五电阻和第六电阻,其中:

所述第九PMOS管,所述第九PMOS管的栅极与所述PWM信号产生模块耦接,接入所述PWM信号,所述第九PMOS管的源极接入电源电压,所述第九PMOS管的漏极与所述第六电阻的第一端口耦接;

所述第六电阻,所述第六电阻的第二端口与所述第五电阻的第一端口、所述开关控制模块耦接;

所述第五电阻,所述第五电阻的第二端口接地。

3.根据权利要求1所述的过压保护电路,其特征在于,所述开关控制模块包括:第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第四电阻,其中:

所述第二NMOS管,所述第二NMOS管的栅极与所述上电清零模块的输出端耦接,接入所述清零信号,所述第二NMOS管的源极接地,所述第二NMOS管的漏极与所述第四电阻的第二端口耦接;

所述第四电阻,所述第四电阻的第一端口与所述第三NMOS管的漏极、所述电阻分压模块耦接;

所述第三NMOS管,所述第三NMOS管的栅极与所述PWM信号产生模块耦接,接入所述PWM信号,所述第三NMOS管的源极与所述第四NMOS管的漏极耦接;

所述第四NMOS管,所述第四NMOS管的栅极与所述上电清零模块的第一端口耦接,所述第四NMOS管的源极与所述第五NMOS管的漏极、所述比较器模块的第一输入端耦接;

所述第五NMOS管,所述第五NMOS管的栅极与所述上电清零模块的第二端口耦接,所述第五NMOS管的源极接地。

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