[实用新型]过压保护电路、集成高压电路及集成低压电路有效
申请号: | 201821169113.4 | 申请日: | 2018-07-20 |
公开(公告)号: | CN208820464U | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 张杰;刘勇江;袁俊;陈光胜 | 申请(专利权)人: | 上海东软载波微电子有限公司 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李笑笑;吴敏 |
地址: | 200235 上海市徐汇区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 比较器模块 过压保护电路 开关控制模块 耦接 电阻分压 清零 上电 逻辑处理模块 产生模块 低压电路 集成高压 输出端 输入端 电路 过压保护信号 输入参考电压 降低功耗 逻辑处理 模块耦接 电阻 输出 应用 | ||
1.一种过压保护电路,其特征在于,包括:PWM信号产生模块、电阻分压模块、上电清零模块、开关控制模块、比较器模块和逻辑处理模块,其中:
所述PWM信号产生模块,输出端分别与所述电阻分压模块和所述上电清零模块耦接;
所述电阻分压模块,与所述开关控制模块耦接,用于接收所述PWM信号产生模块输出的PWM信号,并产生采样电压信号输出至所述开关控制模块;
所述上电清零模块,与所述开关控制模块耦接,用于产生高电平清零信号并输出至所述开关控制模块,以使所述采样电压信号降低;
所述开关控制模块,与所述比较器模块的第一输入端耦接,用于接收所述采样电压信号和所述清零信号,产生开关信号并输出至所述比较器模块的第一输入端;
所述比较器模块,第二输入端适于输入参考电压信号,用于产生过压保护信号;
所述逻辑处理模块,与所述比较器模块的输出端耦接,用于对所述比较器模块输出的过压保护信号进行逻辑处理。
2.根据权利要求1所述的过压保护电路,其特征在于,所述电阻分压模块包括以下任意一种电路:第一分压电路和第二分压电路,其中:
所述第一分压电路包括:第一NMOS管、第一电阻、第二电阻和第三电阻,其中:
所述第一NMOS管,所述第一NMOS管的栅极与所述PWM信号产生模块耦接,接入所述PWM信号,所述第一NMOS管的源极接地,所述第一NMOS管的漏极与所述第一电阻的第二端口耦接;
所述第一电阻,所述第一电阻的第一端口与所述第二电阻的第二端口、所述开关控制模块耦接;
所述第二电阻,所述第二电阻的第一端口与所述第三电阻的第二端口耦接;
所述第三电阻,所述第三电阻的第一端口接电源电压;
所述第二分压电路包括:
第九PMOS管、第五电阻和第六电阻,其中:
所述第九PMOS管,所述第九PMOS管的栅极与所述PWM信号产生模块耦接,接入所述PWM信号,所述第九PMOS管的源极接入电源电压,所述第九PMOS管的漏极与所述第六电阻的第一端口耦接;
所述第六电阻,所述第六电阻的第二端口与所述第五电阻的第一端口、所述开关控制模块耦接;
所述第五电阻,所述第五电阻的第二端口接地。
3.根据权利要求1所述的过压保护电路,其特征在于,所述开关控制模块包括:第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第四电阻,其中:
所述第二NMOS管,所述第二NMOS管的栅极与所述上电清零模块的输出端耦接,接入所述清零信号,所述第二NMOS管的源极接地,所述第二NMOS管的漏极与所述第四电阻的第二端口耦接;
所述第四电阻,所述第四电阻的第一端口与所述第三NMOS管的漏极、所述电阻分压模块耦接;
所述第三NMOS管,所述第三NMOS管的栅极与所述PWM信号产生模块耦接,接入所述PWM信号,所述第三NMOS管的源极与所述第四NMOS管的漏极耦接;
所述第四NMOS管,所述第四NMOS管的栅极与所述上电清零模块的第一端口耦接,所述第四NMOS管的源极与所述第五NMOS管的漏极、所述比较器模块的第一输入端耦接;
所述第五NMOS管,所述第五NMOS管的栅极与所述上电清零模块的第二端口耦接,所述第五NMOS管的源极接地。
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