[实用新型]一种固态硬盘及其掉电保护电路有效

专利信息
申请号: 201821169387.3 申请日: 2018-07-23
公开(公告)号: CN208384559U 公开(公告)日: 2019-01-15
发明(设计)人: 陈俊;李四林;杨会平 申请(专利权)人: 深圳忆数存储技术有限公司
主分类号: G06F12/16 分类号: G06F12/16;G06F1/26
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 张全文
地址: 518000 广东省深圳市龙华*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 固态硬盘 掉电保护电路 掉电保护 供电电压 检测电压 充放电控制单元 掉电检测单元 本实用新型 存储单元 电路单元 掉电状态 缓存单元 数据存储区域 第二检测 异常掉电 检测
【权利要求书】:

1.一种固态硬盘的掉电保护电路,所述固态硬盘包括:控制单元、缓存单元以及存储单元,其特征在于,所述掉电保护电路包括:

被配置为检测所述控制单元的供电电压并输出第一检测电压、检测所述存储单元的供电电压并输出第二检测电压以及检测所述缓存单元的供电电压并输出第三检测电压的掉电检测单元;

与所述掉电检测单元连接,被配置为根据所述第一检测电压确定所述控制单元处于掉电状态则生成第一掉电保护信号,根据所述第二检测电压确定所述存储单元处于掉电状态则生成第二掉电保护信号,根据所述第三检测电压确定所述缓存单元处于掉电状态则生成第三掉电保护信号的充放电控制单元;

与所述充放电控制单元连接,被配置为根据所述第一掉电保护信号控制所述控制单元停止工作、根据所述第二掉电保护信号控制所述存储单元的用户数据写入NAND FLASH芯片以及根据所述第三掉电保护信号控制所述缓存单元的缓存数据写入所述NAND FLASH芯片的掉电保护单元。

2.根据权利要求1所述的掉电保护电路,其特征在于,所述NAND FLASH芯片的型号为:HY27UF082G2B、K558G13ACM或者THGVN1G4D1E。

3.根据权利要求1所述的掉电保护电路,其特征在于,所述掉电检测单元包括:电压检测芯片、第一二极管、第二二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容以及第五电容;

其中,所述第一二极管的阳极、所述第二二极管的阳极以及所述第二电阻的第一端接所述固态硬盘,所述第一二极管的阴极、所述第二二极管的阴极、所述第一电阻的第一端、所述第一电容的第一端、所述第二电容的第一端以及所述第三电阻的第一端共接于所述电压检测芯片的电源输入管脚,所述第一电容的第二端和所述第二电容的第二端共接于地,所述电压检测芯片的复位管脚接入复位信号,所述第二电阻的第二端和所述第四电容的第一端共接于所述电压检测芯片的电压检测管脚,所述第四电容的第二端接地,所述第一电阻的第二端接所述电压检测芯片的重置信号输入管脚,所述第三电容的第一端和所述电压检测芯片的接地管脚共接于地,所述第三电容的第二端接所述电压检测芯片的参考电压输入管脚,所述电压检测芯片的电压信号输出管脚和所述第三电阻的第二端共接于所述充放电控制单元,所述第四电阻的第一端接所述电压检测芯片的延时信号输入管脚,所述第四电阻的第二端接所述第五电容的第一端,所述第五电容的第二端接地。

4.根据权利要求3所述的掉电保护电路,其特征在于,所述电压检测芯片的型号为:TL7733BCDG4、XC61CC或者LY61C33M。

5.根据权利要求1所述的掉电保护电路,其特征在于,所述充放电控制单元包括:电压比较芯片、第五电阻以及第六电阻;

其中,所述第五电阻的第一端和所述第六电阻的第一端接所述掉电检测单元,所述第五电阻的第二端和所述第六电阻的第二端共接于所述电压比较芯片的电压信号输入管脚,所述电压比较芯片的基准信号输入管脚和所述电压比较芯片的电源管脚共接于第一基准电源,所述电压比较芯片的接地管脚接地,所述电压比较芯片的电压信号输出管脚接所述掉电保护单元。

6.根据权利要求5所述的掉电保护电路,其特征在于,所述电压比较芯片为SN74LVC1G126系列芯片。

7.根据权利要求1所述的掉电保护电路,其特征在于,所述掉电保护单元包括掉电保护芯片,其中所述掉电保护芯片的型号为IRF7751TRPBF,所述掉电保护芯片的通讯管脚接所述充放电控制单元,所述掉电保护芯片的电源管脚接第二基准电源。

8.根据权利要求1所述的掉电保护电路,其特征在于,还包括:

与所述掉电保护单元连接,被配置为根据所述第一掉电信号向所述控制单元提供应急电源、根据所述第二掉电保护信号向所述存储单元提供所述应急电源以及根据所述第三掉电保护信号向所述缓存单元提供所述应急电源的储能单元。

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