[实用新型]一种基于Zr元素掺杂的钙钛矿阻变存储器有效
| 申请号： | 201821174791.X | 申请日： | 2018-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN208444861U | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 马国坤;何玉立;王浩;周潇文;蔡恒梅 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 杨采良 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阻变存储器 本实用新型 元素掺杂 钙钛矿 介质层 卤化物钙钛矿 产业化应用 钙钛矿薄膜 从上至下 功能器件 器件功耗 市场应用 玻璃基 底电极 顶电极 结构层 均一性 开关比 掺入 制备 | ||
1.一种基于Zr元素掺杂的钙钛矿阻变存储器，其特征在于：所述存储器从上至下依次包括顶电极、介质层、底电极和玻璃基底，其中：所述介质层为Zr元素掺杂的卤化物钙钛矿材料。
2.根据权利要求1所述的基于Zr元素掺杂的钙钛矿阻变存储器，其特征在于：所述的顶电极的厚度为50nm～300nm。
3.根据权利要求1或2所述的基于Zr元素掺杂的钙钛矿阻变存储器，其特征在于：所述顶电极的形状为圆形或者矩形，直径或边长为50nm～1mm。
4.根据权利要求1所述的基于Zr元素掺杂的钙钛矿阻变存储器，其特征在于：所介质层的厚度为50nm～1μm。
5.根据权利要求1所述的基于Zr元素掺杂的钙钛矿阻变存储器，其特征在于：所述介质层的形状为圆形或者矩形，直径或边长为50nm～2cm。
6.根据权利要求1所述的基于Zr元素掺杂的钙钛矿阻变存储器，其特征在于：所述的底电极的厚度为50nm～300nm。
7.根据权利要求1所述的基于Zr元素掺杂的钙钛矿阻变存储器，其特征在于：所述底电极的形状为圆形或者矩形，直径或边长为50nm～2cm。
8.根据权利要求1所述的基于Zr元素掺杂的钙钛矿阻变存储器，其特征在于：所述的卤化物钙钛矿材料的分子通式为ABX3，其中：A＝CH3NH3或Cs；B＝Pb；X＝Cl，Br或I。
9.根据权利要求1所述的基于Zr元素掺杂的钙钛矿阻变存储器，其特征在于：所述的顶电极材料为Pt、Au或W中的任一种。
10.根据权利要求1所述的基于Zr元素掺杂的钙钛矿阻变存储器，其特征在于：所述的底电极材料为FTO、ITO、ZTO或AZO中的任一种。
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