[实用新型]半导体钨化硅装置沉积环部件洗净喷砂专用保护治具有效
申请号: | 201821175680.0 | 申请日: | 2018-07-24 |
公开(公告)号: | CN208496770U | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
发明(设计)人: | 朱光宇;陈智慧;张正伟;李泓波;贺贤汉 | 申请(专利权)人: | 富乐德科技发展(大连)有限公司 |
主分类号: | B24C9/00 | 分类号: | B24C9/00 |
代理公司: | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 21235 | 代理人: | 盖小静 |
地址: | 116600 辽宁省大连市保税区*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 遮蔽保护 喷砂 凸台 沉积环 洗净 本实用新型 专用保护 内挡圈 钨化硅 治具 半导体 圆环状结构 部件表面 独立设置 重复利用 卡接槽 外挡圈 残胶 遮蔽 把手 | ||
1.一种半导体钨化硅装置沉积环部件洗净喷砂专用保护治具,其特征在于,包括外遮蔽保护圈和内遮蔽保护圈,所述外遮蔽保护圈和内遮蔽保护圈独立设置;所述外遮蔽保护圈为圆环状结构,其包括相连接的凸台A和外挡圈;所述内遮蔽保护圈包括相连接的凸台B和内挡圈,凸台B和内挡圈的连接处设有多个卡接槽,所述凸台B中设有中间把手。
2.根据权利要求1所述的半导体钨化硅装置沉积环部件洗净喷砂专用保护治具,其特征在于,所述外遮蔽保护圈置于待洗净喷砂件上,凸台A覆盖在待洗净喷砂件的外遮蔽件上。
3.根据权利要求1所述的半导体钨化硅装置沉积环部件洗净喷砂专用保护治具,其特征在于,所述内遮蔽保护圈置于待洗净喷砂件上,凸台B覆盖在待洗净喷砂件的内遮蔽件上。
4.根据权利要求1所述的半导体钨化硅装置沉积环部件洗净喷砂专用保护治具,其特征在于,所述的外遮蔽保护圈和内遮蔽保护圈均采用不锈钢材质。
5.根据权利要求1所述的半导体钨化硅装置沉积环部件洗净喷砂专用保护治具,其特征在于,所述卡接槽与待洗净喷砂件上设置的凸起连接,所述凸起的数量与卡接槽的数量相对应。
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