[实用新型]半导体钨化硅装置沉积环部件洗净喷砂专用保护治具有效

专利信息
申请号: 201821175680.0 申请日: 2018-07-24
公开(公告)号: CN208496770U 公开(公告)日: 2019-02-15
发明(设计)人: 朱光宇;陈智慧;张正伟;李泓波;贺贤汉 申请(专利权)人: 富乐德科技发展(大连)有限公司
主分类号: B24C9/00 分类号: B24C9/00
代理公司: 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 21235 代理人: 盖小静
地址: 116600 辽宁省大连市保税区*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 遮蔽保护 喷砂 凸台 沉积环 洗净 本实用新型 专用保护 内挡圈 钨化硅 治具 半导体 圆环状结构 部件表面 独立设置 重复利用 卡接槽 外挡圈 残胶 遮蔽 把手
【权利要求书】:

1.一种半导体钨化硅装置沉积环部件洗净喷砂专用保护治具,其特征在于,包括外遮蔽保护圈和内遮蔽保护圈,所述外遮蔽保护圈和内遮蔽保护圈独立设置;所述外遮蔽保护圈为圆环状结构,其包括相连接的凸台A和外挡圈;所述内遮蔽保护圈包括相连接的凸台B和内挡圈,凸台B和内挡圈的连接处设有多个卡接槽,所述凸台B中设有中间把手。

2.根据权利要求1所述的半导体钨化硅装置沉积环部件洗净喷砂专用保护治具,其特征在于,所述外遮蔽保护圈置于待洗净喷砂件上,凸台A覆盖在待洗净喷砂件的外遮蔽件上。

3.根据权利要求1所述的半导体钨化硅装置沉积环部件洗净喷砂专用保护治具,其特征在于,所述内遮蔽保护圈置于待洗净喷砂件上,凸台B覆盖在待洗净喷砂件的内遮蔽件上。

4.根据权利要求1所述的半导体钨化硅装置沉积环部件洗净喷砂专用保护治具,其特征在于,所述的外遮蔽保护圈和内遮蔽保护圈均采用不锈钢材质。

5.根据权利要求1所述的半导体钨化硅装置沉积环部件洗净喷砂专用保护治具,其特征在于,所述卡接槽与待洗净喷砂件上设置的凸起连接,所述凸起的数量与卡接槽的数量相对应。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富乐德科技发展(大连)有限公司,未经富乐德科技发展(大连)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821175680.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top