[实用新型]一种兼具抗硫化和低光衰性能的LED有效
申请号: | 201821185302.0 | 申请日: | 2018-07-25 |
公开(公告)号: | CN209045603U | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
发明(设计)人: | 董学文;董月圆;闻煜;王俊涛;陈江明 | 申请(专利权)人: | 长兴科迪光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/60;H01L33/56 |
代理公司: | 杭州知瑞知识产权代理有限公司 33271 | 代理人: | 陈俊 |
地址: | 313100 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 抗硫化 低光 本实用新型 二极管芯片 抗氧化层 透光层 外结构 胶层 体积膨胀系数 金属 密封保护层 高折射层 金属导线 耐热老化 气体渗透 依次设置 底基板 交叉处 引脚端 硫化 封胶 硅胶 黄变 耐湿 耐温 内封 体层 粘接 两极 | ||
本实用新型公开了一种兼具抗硫化和低光衰性能的LED,其包括:底基板及内部金属导线连接的两极引脚端和二极管芯片;所述的二极管芯片下方依次设置有PCB、金属抗氧化层和高折射层;所述的金属抗氧化层上方设置有抗硫化胶层、内封装腔体层和外结构透光层;所述的外结构透光层与抗硫化胶层封胶交叉处设置有密封保护层;本实用新型提高了其粘接强度、剪切强度、耐热老化及耐温耐湿的性能,且降低了硅胶硬度增加、高温使胶体黄变引起低光衰、气体渗透硫化和体积膨胀系数高的程度,其结构简单,设计合理,适合广泛推广。
技术领域
本实用新型涉及一种LED,尤其涉及一种兼具抗硫化和低光衰性能的 LED;属于电子电气技术领域。
背景技术
LED的硫化是由于硫元素通过气体渗透进入LED支架内部,在一定的温度条件下热量促使分子运动加剧,硫元素与银元素发生化学反应生成硫化银,且热能持续加在LED的本体上,特别是晶片上,其PN结便会存在结温效应以及高温考验,从而导致LED晶片的有效发光能力逐步衰退,形低光衰。作为日益壮大环保节能的LED产业来说,如何改善其抗硫化和低光衰性能一直是现在LED产品中关键的技术性研究突破点。
发明内容
(一)要解决的技术问题
为解决上述问题,本实用新型提出了一种兼具抗硫化和低光衰性能的 LED。
(二)技术方案
本实用新型的兼具抗硫化和低光衰性能的LED,其包括:底基板及内部金属导线连接的两极引脚端和二极管芯片;所述的二极管芯片下方依次设置有PCB、金属抗氧化层和高折射层;所述的金属抗氧化层上方设置有抗硫化胶层、内封装腔体层和外结构透光层;所述的外结构透光层与抗硫化胶层封胶交叉处设置有密封保护层。
进一步地,所述的底基板材料为陶瓷冲模而成,形状为中央带圆凹槽状的扁圆锥台,其中央凹槽内部与PCB之间设置有绝缘导热层和金属箔层,且绝缘导热层为双面铝基覆铜板。
进一步地,所述的PCB上表面设置的金属抗氧化层为氧化铝薄膜或钛薄膜或硅涂层薄膜,其上方的高折射层为八苯基环四硅氧烷涂层薄膜。
(三)有益效果
本实用新型与现有技术相比较,其具有以下有益效果:本实用新型提高了其粘接强度、剪切强度、耐热老化及耐温耐湿的性能,且降低了硅胶硬度增加、高温使胶体黄变引起低光衰、气体渗透硫化和体积膨胀系数高的程度,其结构简单,设计合理,适合广泛推广。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
1-外结构透光层;2-密封保护层;3-抗硫化胶层;4-金属抗氧化层; 5-高折射层;6-金属导线;7-二极管芯片;8-PCB9-底基板;10-内封装腔体层;11-两极引脚端。
具体实施方式
如图1所示的一种兼具抗硫化和低光衰性能的LED,其包括:底基板9 及内部金属导线6连接的两极引脚端11和二极管芯片7;所述的二极管芯片7下方依次设置有PCB8、金属抗氧化层4和高折射层5;所述的金属抗氧化层4上方设置有抗硫化胶层3、内封装腔体层10和外结构透光层1;所述的外结构透光层1与抗硫化胶层3封胶交叉处设置有密封保护层2;
其中,所述的底基板9材料为陶瓷冲模而成,形状为中央带圆凹槽状的扁圆锥台,其中央凹槽内部与PCB8之间设置有绝缘导热层和金属箔层,且绝缘导热层为双面铝基覆铜板;所述的PCB8上表面设置的金属抗氧化层 4为氧化铝薄膜或钛薄膜或硅涂层薄膜,其上方的高折射层5为八苯基环四硅氧烷涂层薄膜。
本实用新型提高了其粘接强度、剪切强度、耐热老化及耐温耐湿的性能,且降低了硅胶硬度增加、高温使胶体黄变引起低光衰、气体渗透硫化和体积膨胀系数高的程度,其结构简单,设计合理,适合广泛推广。
上面所述的实施例仅仅是对本实用新型的优选实施方式进行描述,并非对本实用新型的构思和范围进行限定。在不脱离本实用新型设计构思的前提下,本领域普通人员对本实用新型的技术方案做出的各种变型和改进,均应落入到本实用新型的保护范围,本实用新型请求保护的技术内容,已经全部记载在权利要求书中。
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