[实用新型]一种过温过压保护电路有效

专利信息
申请号: 201821185783.5 申请日: 2018-07-25
公开(公告)号: CN208433743U 公开(公告)日: 2019-01-25
发明(设计)人: 闫晓波 申请(专利权)人: 德明通讯(上海)有限责任公司
主分类号: H02H5/04 分类号: H02H5/04;H02H3/20
代理公司: 上海浦东良风专利代理有限责任公司 31113 代理人: 龚英
地址: 201204 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 电阻 三极管 热敏电阻 接地 过压保护电路 电压输入端 发射极 集电极 本实用新型 连接芯片 输入端 漏极 源极
【说明书】:

本实用新型为一种过温过压保护电路,其特征在于:包括电压输入端、MOS管、第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一热敏电阻和第二热敏电阻,所述电压输入端分别连接MOS管的源极、第一电阻的一端、第一三极管的发射极、第二三极管的发射极和第二热敏电阻的一端,所述第一三极管的基极分别连接第一电阻的另一端和第一热敏电阻的一端,第一热敏电阻的另一端接地;所述第二三极管的基极分别连接第二热敏电阻的另一端和第二电阻的一端,第二电阻的另一端接地;所述第三电阻的一端分别连接第一三极管的集电极、第二三极管的集电极和MOS管的栅极,第三电阻的另一端接地;所述MOS管的漏极连接芯片输入端。

技术领域

本实用新型涉及电子电路领域,特别是公开一种过温过压保护电路。

背景技术

随着电子产品数字化的发展,芯片的集成度越来越高,工作电压越来越低,其制造成本和售价也越来越贵,因此,对于芯片的过压保护也越来越重要,同时,随着芯片集成度的提高,发热量也在不断提高,芯片中如电源、驱动器件等的功率消耗往往很大,使芯片温升过高,过高的温度将导致半导体器件失效,当芯片的工作温度超过一定的温度值后,芯片失效率成指数规律增加,并有可能使芯片烧毁。另外,过低的温度,会使芯片内部半导体的导电能力、极限电压、极限电流和开关特性等发生很大改变,而这些参数的改变可能造成芯片特性的变化甚至使芯片损坏。因此温度是影响芯片稳定性和可靠性的重要因素之一,为了保护芯片不受到永久性的损害,给芯片设置专门的温度保护是非常必要的,当环境温度超过芯片允许的工作温度范围时,过温保护电路就会切断芯片电源或发出过温信号使芯片停止工作。

现有的过压保护电路和过温保护电路是相互独立的,过温保护需要CPU自带ADC通道,对于没有自带ADC通道的CPU需额外添加带ADC通道的MCU芯片,然后通过在ADC通道连接热敏电阻实现过温保护,另外,还需要进行软件调试。过压保护一般都是通过自搭线路或直接采用外购的过压保护芯片来实现,其性能比较单一。

发明内容

本实用新型的目的在于解决现有技术的缺陷,提供一种过温过压保护电路,其结构简单、制造成本低,在单一电路上实现了对芯片的过压保护、高温保护和低温保护,并且完全脱离了软件的参与,提高了产品的可靠性,可以应用于路由器、机顶盒、电视机或其他电子设备中。

本实用新型是这样实现的:一种过温过压保护电路,其特征在于:所述过温过压保护电路包括电压输入端、芯片输入端、MOS管、第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一热敏电阻和第二热敏电阻,所述电压输入端分别连接所述MOS管的源极、第一电阻的一端、第一三极管的发射极、第二三极管的发射极和第二热敏电阻的一端,所述第一三极管的基极分别连接所述第一电阻的另一端和第一热敏电阻的一端,所述第一热敏电阻的另一端接地;所述第二三极管的基极分别连接所述第二热敏电阻的另一端和第二电阻的一端,所述第二电阻的另一端接地;所述第三电阻的一端分别连接所述第一三极管的集电极、第二三极管的集电极和MOS管的栅极,所述第三电阻的另一端接地;所述MOS管的源极还与所述第四电阻的一端连接,所述MOS管的栅极还与所述第四电阻的另一端连接,所述MOS管的漏极连接所述芯片输入端。

所述MOS管为PMOS管,所述第一三极管和第二三极管均为PNP型三极管。

本实用新型的有益效果是:本实用新型结构简单、制造成本低,在单一电路上实现了对芯片的过压保护、高温保护和低温保护,并且完全脱离了软件的参与,提高了产品的可靠性,可以应用于路由器、机顶盒、电视机或其他电子设备中。本实用新型在过压保护电路中增设了热敏电阻,利用热敏电阻阻值随温度变化而变化的特性,实现芯片的过温过压保护,当芯片温度过高或过低时,本实用新型会切断芯片电源,避免芯片的工作温度过高或过低而导致芯片性能下降或损坏,延长芯片的使用寿命。

附图说明

图1是本实用新型的电路结构示意图。

具体实施方式

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