[实用新型]低剖面去耦栅结构的波导平板阵列天线有效
| 申请号： | 201821189250.4 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN208608361U | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 张小磊;王孟 | 申请（专利权）人： | 西安三维通信有限责任公司 |
| 主分类号： | H01Q21/06 | 分类号： | H01Q21/06;H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 闫家伟 |
| 地址： | 710077 陕西省西安市高新区丈*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 去耦 平板阵列天线 低剖面 辐射层 辐射缝 栅结构 耦合层 波导 凹槽型结构 本实用新型 馈电网络层 横向中心 天线整体 电磁波 栅表面 互耦 减小 绕射 | ||
1.一种低剖面去耦栅结构的波导平板阵列天线，其特征在于，包括：辐射层(1)、耦合层(2)、馈电网络层(3)；其中，
所述辐射层(1)设置于所述耦合层(2)上方；
所述馈电网络层(3)设置于所述耦合层(2)下方；
所述辐射层(1)上设置有去耦栅(4)和辐射缝(5)；
所述去耦栅(4)位于相邻所述辐射缝(5)横向中心，以减小相邻所述辐射缝(5)的互耦效应；
所述去耦栅(4)为凹槽型结构。
2.根据权利要求1所述的低剖面去耦栅结构的波导平板阵列天线，其特征在于，所述去耦栅(4)的宽度小于或等于1/2所述相邻辐射缝(5)的间距，所述去耦栅(4)的高度为λmax/16，所述去耦栅(4)的凹槽深度为λmax/16，所述凹槽宽度为1/3所述去耦栅(4)宽度；其中，λmax为所述波导平板阵列天线工作频段内的低频对应的电磁波波长。
3.根据权利要求1所述的低剖面去耦栅结构的波导平板阵列天线，其特征在于，所述辐射层(1)还设置有多个谐振腔(6)，所述谐振腔(6)上有四个所述辐射缝(5)，且所述四个所述辐射缝(5)分别紧贴所述谐振腔(6)的四个侧壁。
4.根据权利要求3所述的低剖面去耦栅结构的波导平板阵列天线，其特征在于，所述耦合层(2)设置有多个耦合腔(7)；其中，所述耦合腔(7)与所述谐振腔(6)对应设置。
5.根据权利要求4所述的低剖面去耦栅结构的波导平板阵列天线，其特征在于，所述馈电网络层(3)设置有第一匹配台阶(10)、波导功分器(11)，馈电口(12)和匹配隔板(9)；其中，
所述波导功分器(11)包括主波导和分支波导；
所述分支波导设置于所述主波导的宽壁上；
所述匹配隔板(9)设置于所述分支波导的侧壁上，且所述匹配隔板正对所述主波导的波导口，用于调节所述波导功分器的反射损耗；
所述馈电口(12)连接所述波导功分器，且所述馈电口垂直设置于所述波导平板阵列天线阵面；
所述第一匹配台阶(10)为多个；其中，所述第一匹配台阶(10)连接所述波导功分器，且所述第一匹配台阶(10)与所述耦合腔(7)对应设置，用于调节所述馈电网络层(3)到所述耦合腔(7)转换时引入的电抗，还用于引导电磁波信号的传导方向。
6.根据权利要求5所述的低剖面去耦栅结构的波导平板阵列天线，其特征在于，所述波导功分器(11)为E-T分支波导功分器。
7.根据权利要求5所述的低剖面去耦栅结构的波导平板阵列天线，其特征在于，所述耦合层(2)还设置有第二匹配台阶(8)，所述第二匹配台阶(8)与所述馈电口(12)对应设置，用于调节所述馈电口(12)处的反射损耗。
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