[实用新型]一种太阳能电池有效
| 申请号： | 201821192571.X | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN208767309U | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 白安琪;王雪戈 | 申请（专利权）人： | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 光电转换效率 本实用新型 背电极层 光吸收层 三维结构 介电层 衬底 太阳能电池技术 层叠设置 衬底方向 基层 窗口层 高阻层 缓冲层 背离 | ||
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
基层衬底；和
在所述基层衬底上且沿背离所述基层衬底方向层叠设置的背电极层、介电层、光吸收层、缓冲层、高阻层和窗口层；
其中，所述背电极层与所述介电层相接触的表面为第一三维结构，所述介电层与所述光吸收层相接触的表面为第二三维结构。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述背电极层与所述介电层相接触的表面上具有第一凸出部和/或第一凹陷部，所述第一凸出部和/或第一凹陷部形成所述第一三维结构。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一凸出部的高度为10nm～500nm。
4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一凸出部包括多个条状结构和/或多个点状结构。
5.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一凹陷部的深度为10nm～500nm。
6.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一凹陷部包括多个条状结构和/或多个点状结构。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述介电层的厚度为1nm～100nm。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述介电层与所述光吸收层相接触的表面上具有第二凸出部和/或第二凹陷部，所述第二凸出部和/或第二凹陷部形成所述第二三维结构。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二凸出部包括多个条状结构和/或多个点状结构。
10.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二凹陷部包括多个条状结构和/或多个点状结构。
11.根据权利要求4、6、9或10所述的太阳能电池，其特征在于，相邻两个所述条状结构之间的间距为10nm～1000nm。
12.根据权利要求4、6、9或10所述的太阳能电池，其特征在于，多个所述点状结构分成多个点状结构组，每个所述点状结构组由位于同一条直线上的点状结构组成，且相邻两个所述点状结构组的间距为10nm～1000nm。
13.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述介电层是由SiNx、SiOx、Al2O3、TiO2和/或a-Si材料制成的单层或多层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
