[实用新型]端子校正装置有效
申请号: | 201821192679.9 | 申请日: | 2018-07-25 |
公开(公告)号: | CN208521777U | 公开(公告)日: | 2019-02-19 |
发明(设计)人: | 曹亚锋 | 申请(专利权)人: | 常州佳冠电子有限公司 |
主分类号: | H01F41/00 | 分类号: | H01F41/00 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 符莹莹 |
地址: | 213000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁铁 校正磁铁 校正 校正装置 呈圆环状 轨道架 所在处 圆环状 内嵌 高频吸收电容 本实用新型 生产技术 通道两侧 链节 片部 平行 | ||
本实用新型提供一种端子校正装置,涉及高频吸收电容生产技术领域。端子校正装置包括:轨道架,轨道架具有供链节通过的通道,通道两侧分别为第一岸部和第二岸部。第一校正台,第一校正台包括第一校正磁铁座和第一磁铁,第一磁铁呈圆环状,圆环状第一磁铁内嵌于第一校正磁铁座,第一校正磁铁座连接于第一岸部且第一磁铁朝向通道所在处。第二校正台,第二校正台包括第二校正磁铁座和第二磁铁,第二磁铁呈圆环状,圆环状第二磁铁内嵌于第二校正磁铁座,第二校正磁铁座连接于第二岸部且第二磁铁朝向通道所在处。第一磁铁和第二磁铁相对。端子校正装置能够使得两个端子的片部调整成相互平行的位置,效率较高且校正效果好。
技术领域
本实用新型涉及高频吸收电容生产技术领域,具体而言,涉及一种端子校正装置。
背景技术
吸收电容在电路中起的作用类似于低通滤波器,可以吸收掉尖峰电压。通常用在有绝缘栅双极型晶体管(IGBT),消除由于母排的杂散电感引起的尖峰电压,避免绝缘栅双极型晶体管的损坏。
双面金属化膜内串结构、特别的内部设计和端面喷金技术,使电容具低感抗,多条引线设计,可承受更高纹波电流,高du/dv以及高过压能力。用于各类IGBT缓冲线路突波吸收,各类高频谐振线路。
电容结构:双层金属化膜,内部串联结构。
封装:阻燃塑胶外壳,环氧树脂封装,符合(UL94V-0)标准。
尺寸:适合于各种IGBT保护。
高频吸收电容流水线用于生产高频吸收电容,在生产环节中,会由链节运送接地片,链节上有陶瓷定位,端子可以安放到陶瓷定位中间的孔洞内。
端子具有杆部和片部,放入孔洞的是杆部,一个链节上会放入两个端子,在下一个工序中,需要将两个端子的片部调整成相互平行的位置。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种端子校正装置,其能够使得两个端子的片部调整成相互平行的位置,效率较高且校正效果好。
本实用新型的实施例是这样实现的:
本实用新型的实施例提供了一种端子校正装置,用于高频吸收电容的流水线生产,包括:
轨道架,所述轨道架具有供链节通过的通道,所述通道两侧分别为第一岸部和第二岸部;
第一校正台,所述第一校正台包括第一校正磁铁座和第一磁铁,所述第一磁铁呈圆环状,圆环状所述第一磁铁内嵌于所述第一校正磁铁座,所述第一校正磁铁座连接于所述第一岸部且所述第一磁铁朝向所述通道所在处;
第二校正台,所述第二校正台包括第二校正磁铁座和第二磁铁,所述第二磁铁呈圆环状,圆环状所述第二磁铁内嵌于所述第二校正磁铁座,所述第二校正磁铁座连接于所述第二岸部且所述第二磁铁朝向所述通道所在处;
所述第一磁铁和所述第二磁铁相对。
另外,根据本实用新型的实施例提供的端子校正装置,还可以具有如下附加的技术特征:
在本实用新型的可选实施例中,所述第一磁铁具有中央孔洞,所述中央孔洞分为第一锥孔段和第一圆孔段,所述第一锥孔段的直径从所述第一磁铁的端面向着内部逐渐减小且与所述第一圆孔段衔接,所述第一圆孔段贯通至所述第一磁铁的另外一侧端面。
在本实用新型的可选实施例中,所述第二磁铁具有中央孔洞,所述中央孔洞分为第二锥孔段和第二圆孔段,所述第二锥孔段的直径从所述第二磁铁的端面向着内部逐渐减小且与所述第二圆孔段衔接,所述第二圆孔段贯通至所述第二磁铁的另外一侧端面。
在本实用新型的可选实施例中,所述第一校正磁铁座具有第一容置槽,所述第一磁铁内嵌于所述第一容置槽内。
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