[实用新型]一种多晶硅还原炉电极绝缘结构有效

专利信息
申请号: 201821203559.4 申请日: 2018-07-27
公开(公告)号: CN208561706U 公开(公告)日: 2019-03-01
发明(设计)人: 盛斌;陈丞浩;殷亚军 申请(专利权)人: 江苏双良新能源装备有限公司
主分类号: C01B33/035 分类号: C01B33/035;H01B17/58
代理公司: 江阴市扬子专利代理事务所(普通合伙) 32309 代理人: 隋玲玲
地址: 214444 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 绝缘磁环 四氟套 铜电极 底盘 多晶硅还原炉 本实用新型 绝缘结构 上表面 电极 硅粉 二次污染 紧密配合 绝缘效果 内部间隙 产能 四氟 外圆 还原 积累 保证
【权利要求书】:

1.一种多晶硅还原炉电极绝缘结构,其特征在于:包括底盘(1)、四氟套(2)、第一绝缘磁环(3)、第二绝缘磁环(4)、第三绝缘磁环(5)和铜电极(6),所述铜电极(6)的外圆与四氟套(2)套装,并通过四氟套(2)与底盘(1)紧密配合,所述第一绝缘磁环(3)设置在底盘(1)的上表面,所述第三绝缘磁环(5)套装在铜电极(6)的头部,所述第三绝缘磁环(5)设有台阶,所述台阶压在第一绝缘磁环(3)的上表面,所述第二绝缘磁环(4)位于第三绝缘磁环(5)的外侧。

2.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉电极绝缘结构,其特征在于:所述第三绝缘磁环(5)采用氮化硅材质。

3.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉电极绝缘结构,其特征在于:所述第二绝缘磁环(4)材质为不透明石英或氧化铝,外侧设置圆弧形波节。

4.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉电极绝缘结构,其特征在于:所述第三绝缘磁环(5)与铜电极(6)的头部间隙配合,单侧间隙为0.1-0.2mm。

5.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉电极绝缘结构,其特征在于:所述四氟套(2)低于底盘(1)的上表面4-5mm。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏双良新能源装备有限公司,未经江苏双良新能源装备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821203559.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top