[实用新型]半导体装置有效
申请号: | 201821206107.1 | 申请日: | 2018-07-27 |
公开(公告)号: | CN208767302U | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
发明(设计)人: | 河崎一茂 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | H01L27/1157 | 分类号: | H01L27/1157 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体芯片 基础部件 积层体 半导体装置 本实用新型 交替积层 最下层 排列配置 低成本 | ||
1.一种半导体装置,具备:
基础部件;
第1积层体,包含交替积层在与所述基础部件的表面交叉的第1方向的第1半导体芯片与第2半导体芯片;及
第2积层体,在沿所述基础部件的所述表面的第2方向与所述第1积层体排列配置,且包含交替积层在所述第1方向的其他第1半导体芯片与其他第2半导体芯片;且
所述第1积层体包含与所述基础部件连接的最下层的第1半导体芯片,
所述第2积层体包含与所述基础部件连接的最下层的第2半导体芯片。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第1半导体芯片及所述第2半导体芯片分别具有半导体基板、及设置在所述半导体基板上的功能层,
所述第1积层体及所述第2积层体包含:第1接合部,使所述第1半导体芯片的功能层与所述第2半导体芯片的功能层对向接合;及第2接合部,使所述第1半导体芯片的半导体基板与所述第2半导体芯片的半导体基板对向接合。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其中所述第1半导体芯片及所述第2半导体芯片分别具有:接合焊垫,设置在所述功能层上;及连接焊垫,设置在所述半导体基板的与所述功能层为相反侧的背面侧;且
所述第1接合部包含将所述第1半导体芯片的接合焊垫与所述第2半导体芯片的接合焊垫直接连接的部分,
所述第2接合部包含将所述第1半导体芯片的连接焊垫与所述第2半导体芯片的连接焊垫经由连接部件连接的部分。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置,其进而具备与所述第1积层体及所述第2积层体电性连接的第3半导体芯片,
所述第3半导体芯片具有指令端子与数据端子,
所述第1积层体及所述第2积层体分别具有与所述指令端子连接的第1端子、及与所述数据端子连接的第2端子,
所述第1积层体的第1端子与所述第2积层体的第1端子在所述第2方向上排列配置,
所述第1积层体的第2端子与所述第2积层体的第2端子在所述第2方向上排列配置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的