[实用新型]一种半导体可饱和吸收镜结构有效
| 申请号： | 201821213328.1 | 申请日： | 2018-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN208508231U | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 梁崇智;黎海明;朱海波 | 申请（专利权）人： | 广东华快光子科技有限公司;广东华奕激光技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S3/098 | 分类号： | H01S3/098 |
| 代理公司： | 中山市科创专利代理有限公司 44211 | 代理人： | 谢自安 |
| 地址： | 528400 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明层 半导体可饱和吸收镜 应变补偿层 量子阱 驻波 可饱和吸收体 本实用新型 激光器寿命 量子阱结构 对称设置 峰值位置 使用寿命 应变补偿 激光器 形变 维护 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体可饱和吸收镜结构，其特征在于包括有n-GaAs衬底，在所述n-GaAs衬底上依次生长有24对布拉格反射镜、8个量子阱的可饱和吸收体，其中，每对布拉格反射镜的厚度为0.25λ，λ是设计波长，每个量子阱的厚度为0.5λ，每对布拉格反射镜包括有依次的GaAs子层和AlGaAs子层，GaAs子层的厚度≤AlGaAs子层的厚度，每个量子阱包括依次的AlGaAsP应变补偿层、GaAlAs透明层、InGaAs层、GaAlAs透明层、InGaAs层、GaAlAs透明层、AlGaAsP应变补偿层，其中，两个AlGaAsP应变补偿层的厚度相等，3个GaAlAs透明层的厚度相等，两个InGaAs层的厚度相等，并且，InGaAs层的厚度≤GaAlAs透明层的厚度≤AlGaAsP应变补偿层的厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东华快光子科技有限公司;广东华奕激光技术有限公司，未经广东华快光子科技有限公司;广东华奕激光技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821213328.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种端面均匀泵浦固体激光器
- 下一篇：一种多脉宽固体激光器
