[实用新型]一种人构性高介电常数的介电薄膜

权利要求书

1.一种人构性高介电常数的介电薄膜，其特征在于，该介电薄膜包括多个周期性重叠的子薄膜单元，每个子薄膜单元由低漏电材料的子薄膜与高介电材料的子薄膜重叠构成，每一层子薄膜的厚度均小于1nm；所述介电薄膜的最底层和最上层均为低漏电材料的子薄膜；所述低漏电材料的子薄膜采用一种或者多种不同材料；所述高介电材料的子薄膜采用一种或者多种不同材料；当所述介电薄膜采用多种不同材料时，每个子薄膜单元中，各子薄膜由最底层按漏电流先递增再递减的顺序排列，或按禁带宽度先递减再递增的顺序排列。

2.根据权利要求1所述的一种人构性高介电常数的介电薄膜，其特征在于，每个子薄膜单元中，最底层的子薄膜为介电常数最小的子薄膜。

3.根据权利要求1或2所述的一种人构性高介电常数的介电薄膜，其特征在于，所述介电薄膜的下表面、上表面、或分别在其上表面和下表面设有一层几纳米厚的漏电流阻挡层。

4.根据权利要求3所述的一种人构性高介电常数的介电薄膜，其特征在于，所述漏电流阻挡层采用无机氧化物材料或有机自组装单分子层材料。