[实用新型]一种用于制造半导体陶瓷片的粗轧机有效
申请号: | 201821216455.7 | 申请日: | 2018-07-30 |
公开(公告)号: | CN209224255U | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 成彪;刘瑞生;田茂标;任文彬 | 申请(专利权)人: | 成都万士达瓷业有限公司 |
主分类号: | B28B3/12 | 分类号: | B28B3/12 |
代理公司: | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人: | 苏丹 |
地址: | 611332 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 轧辊 粗轧机 轴承座 辅助轧辊 减速电机 联轴器 半导体陶瓷片 进给丝杆 本实用新型 制造 | ||
本实用新型公开了一种用于制造半导体陶瓷片的粗轧机,其特征在于包括:减速电机、联轴器、轧辊、进给丝杆、轴承座、辅助轧辊和辅助轧辊轴承座,所述减速电机设置在粗轧机的一侧,所述轴承座设置在粗轧机的另一侧,所述减速电机与联轴器相连,所述粗轧机上设置有多个轧辊,所述联轴器与多个轧辊中的一根轧辊相连接,所述轧辊的上方设置有进给丝杆,所述轧辊的下方设置有辅助轧辊轴承座,所述辅助轴承座上设置有辅助轧辊。
技术领域
本实用新型属于半导体制造技术领域,具体涉及一种用于制造半导体陶瓷片的粗轧机。
背景技术
半导体陶瓷具有半导体特性、电导率约在10-6~105S/m的陶瓷。半导体陶瓷的电导率因外界条件(温度、光照、电场、气氛和温度等)的变化而发生显著的变化,因此可以将外界环境的物理量变化转变为电信号,制成各种用途的敏感元件。
半导体陶瓷生产工艺的共同特点四必须经过半导化过程。半导化过程可通过掺杂不等价离子取代部分主晶相离子(例如,BaTiO3中的Ba2+被La3+取代),使晶格产生缺陷,形成施主或受主能级,以得到n型或p型的半导体陶瓷。另一种方法是控制烧成气氛、烧结温度和冷却过程。例如氧化气氛可以造成氧过剩,还原气氛可以造成氧不足,这样可使化合物的组成偏离化学计量而达到半导化。半导体陶瓷敏感材料的生产工艺简单,成本低廉,体积小,用途广泛。压敏陶瓷,指伏安特性为非线性的陶瓷。如碳化硅、氧化锌系陶瓷。它们的电阻率相对于电压是可变的,在某一临界电压下电阻值很高,超过这一临界电压则电阻急剧降低。典型产品是氧化锌压敏陶瓷,主要用于浪涌吸收、高压稳压、电压电流限制和过电压保护等方面。随着功率电子器件的发展,电路板集成度与工作频率不断提高,散热问题已成为功率电子器件发展中必须要解决的关键问题。陶瓷基片是大功率电子器件、集成电路基片的封装材料,是功率电子、电子封装与多芯片模块等技术中的关键配套材料,其性能决定着模块的散热效率和可靠性。
低氧铜烧结DBC半导体热电基片由于具有高导热性、高电绝缘性、电流容量大、机械强度高、与硅芯片相匹配的温度特性等特点,因此被广泛应用于航天、军工、汽车等特殊电子行业,用来做功率芯片的绝缘与散热。
现有工艺是采用Al2O3陶瓷基片与经过氧化处理后的覆铜烧结,其中无氧铜氧化处理工艺复杂难以控制氧化的一致性,所以价格十分昂贵,无氧铜烧结DBC半导体热电基片售价是低氧铜烧结DBC半导体热电基片售价的5倍左右。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种用于制造半导体陶瓷片的粗轧机。
一种用于制造半导体陶瓷片的粗轧机,其特征在于包括:减速电机、联轴器、轧辊、进给丝杆、轴承座、辅助轧辊和辅助轧辊轴承座,所述减速电机设置在粗轧机的一侧,所述轴承座设置在粗轧机的另一侧,所述减速电机与联轴器相连,所述粗轧机上设置有多个轧辊,所述联轴器与多个轧辊中的一根轧辊相连接,所述轧辊的上方设置有进给丝杆,所述轧辊的下方设置有辅助轧辊轴承座,所述辅助轧辊轴承座上设置有辅助轧辊。
所述减速电机为可调速的伺服电机。
所述粗轧机上至少设置有两根轧辊。
所述多根轧辊之间存在空隙。
所述辅助轧辊与轧辊相平行。
所述辅助轧辊的直径小于轧辊的直径。
附图说明
本实用新型的前述和下文具体描述在结合以下附图阅读时变得更清楚,附图中:
图1是本实用新型一种优选方案的结构示意图;
图中:
1、减速电机,2、联轴器,3、轧辊,4、进给丝杆,5、轴承座,6、辅助轧辊,7、辅助轧辊轴承座。
具体实施方式
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