[实用新型]一种用于抑制二次回滞的SCR器件及ESD防护电路

权利要求书

1.一种用于抑制二次回滞的SCR器件，其特征在于，包括：

第一可控硅，包括第一双极型晶体管，其中所述第一双极型晶体管的发射极接电学阳极；

主SCR支路，所述主SCR支路包括第二双极型晶体管，所述第二双极型晶体管的集电极接所述第一双极型晶体管的基极，所述第二双极型晶体管的发射极接电学阴极；

寄生SCR支路，所述寄生SCR支路包括P阱电阻和P衬底电阻，其中所述P阱电阻和所述P衬底电阻为第三双极型晶体管的基区电阻，所述第三双极型晶体管的集电极接所述第一双极型晶体管的基极，所述第三双极型晶体管的发射极接所述电学阴极；

其中，所述P衬底电阻的一端和所述P阱电阻的第一端共接于所述电学阴极，所述P阱电阻的第二端和所述第二双极型晶体管的基极共接于所述第一双极型晶体管的集电极。

2.根据权利要求1所述的SCR器件，其特征在于，还包括二极管串支路，所述二极管串支路包括N个依次串联连接的二极管，其中，第一个二极管的阳极接所述第一双极型晶体管的基极，第N个二极管的阴极接所述电学阴极，第i个二极管的阴极接第i+1个二极管的阳极；

其中，所述N为大于或者等于2的正整数，所述i为1至N-1之间的任意正整数。

3.根据权利要求1或2所述的SCR器件，其特征在于，所述第一双极型晶体管、所述第二双极型晶体管以及所述第三双极型晶体管共用一个P阱。

4.根据权利要求3所述的SCR器件，其特征在于，所述第一双极型晶体管、所述第二双极型晶体管以及所述第三双极型晶体管的版图结构如下：

P型衬底上依次相邻的布置有：第一沟槽、第一N阱、第二沟槽、第二N阱、第三沟槽、P阱、第三N阱以及第四沟槽；

所述第一N阱上依次相邻设有：第一N+注入区、第五沟槽以及第一P+注入区，其中所述第一p+注入区与所述第二沟槽相邻；

所述第二N阱上依次相邻设有：第二N+注入区、第六沟槽以及第二P+注入区，其中所述第二P+注入区与所述第三沟槽相邻；

所述P阱上依次相邻设有：第三P+注入区、第七沟槽以及第三N+注入区，其中所述第三N+注入区临近所述P阱和所述第三N阱的交界处，所述P阱和所述第三N阱的交界处设有第八沟槽；

所述第三N阱上依次相邻设有：第四P+注入区、第九沟槽以及第四N+注入区，其中所述第四P+注入区临近所述P阱和所述第三N阱的交界处；

其中所述第一N+注入区、所述第三P+注入区以及所述第三N+注入区均接所述电学阴极，所述第四P+注入区接所述电学阳极。

5.一种ESD防护电路，其特征在于，包括如权利要求1-4任一项所述的用于抑制二次回滞的SCR器件。