[实用新型]绝缘栅双极晶体管设备

权利要求书

1.一种绝缘栅双极晶体管设备，其特征在于，所述绝缘栅双极晶体管设备包括：

有源区；

无源区；

沟槽，所述沟槽沿所述有源区中的纵向轴线延伸；

第一台面，所述第一台面由所述沟槽的第一侧壁限定并且与所述沟槽平行；和

第二台面，所述第二台面由所述沟槽的第二侧壁限定并且与所述沟槽平行，

所述第一台面包括所述绝缘栅双极晶体管设备的至少一个有源区段，并且

所述第二台面包括所述绝缘栅双极晶体管设备的至少一个无源区段。

2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管设备，其中：

所述第一台面是被包括在所述有源区中的有源台面，并且所述第二台面是被包括在所述无源区中的无源台面；并且

所述无源区是所述绝缘栅双极晶体管设备的终止区。

3.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管设备，其中，所述至少一个有源区段包括第一有源区段，所述至少一个无源区段包括第一无源区段，所述绝缘栅双极晶体管设备还包括：

第二有源区段，所述第二有源区段被包括在所述第二台面中；和

第二无源区段，所述第二无源区段被包括在所述第一台面中。

4.一种绝缘栅双极晶体管设备，其特征在于，所述绝缘栅双极晶体管设备包括：

无源区；和

多个互连有源区，所述多个互连有源区分布地设置在所述无源区内，

所述多个互连有源区中的有源区包括：

沟槽，所述沟槽沿纵向轴线延伸，所述沟槽的第一侧壁由所述有源区的有源台面限定，并且所述沟槽的第二侧壁由所述无源区限定。

5.根据权利要求4所述的绝缘栅双极晶体管设备，其中，所述无源区包括所述绝缘栅双极晶体管设备的电介质终止区，所述电介质终止区围绕所述多个互连有源区中的所述有源区，所述绝缘栅双极晶体管设备还包括设置在所述无源区的底部处或以下的电压阻挡注入物。

6.根据权利要求4所述的绝缘栅双极晶体管设备，其中，所述沟槽是沿所述有源台面的第一侧延伸的第一沟槽，所述多个互连有源区中的所述有源区还包括沿与所述有源台面的所述第一侧相对的所述有源台面的第二侧延伸的第二沟槽，所述第二沟槽与所述第一沟槽平行，所述第二沟槽的第一侧壁由所述有源台面的所述第二侧限定，并且所述第二沟槽的第二侧壁由无源区限定，所述绝缘栅双极晶体管设备还包括：

第一栅极电极，所述第一栅极电极设置在所述第一沟槽中；

第二栅极电极，所述第二栅极电极设置在所述第二沟槽中；和

源极注入物，所述源极注入物在所述有源台面中邻近所述第一沟槽并且邻近所述第二沟槽设置。

7.根据权利要求4所述的绝缘栅双极晶体管设备，其中：

所述无源区包括具有氧化半导体材料的柱；并且

所述无源区还包括设置在所述柱之间的一个或多个气隙。

8.根据权利要求4所述的绝缘栅双极晶体管设备，其中：

所述多个互连有源区中的每个有源区的相应发射极端子电耦接在一起；并且

使用设置在所述无源区上的多晶硅来将所述多个互连有源区的第一有源区的栅极端子与第二有源区的栅极端子电耦接。

9.一种绝缘栅双极晶体管设备，其特征在于，所述绝缘栅双极晶体管设备包括：

电介质终止区；

有源发射极台面，所述有源发射极台面设置在所述电介质终止区内；和

沟槽，所述沟槽沿纵向轴线延伸，所述沟槽的第一侧壁由所述有源发射极台面限定，并且所述沟槽的第二侧壁由所述电介质终止区限定。