[实用新型]一种应用于音圈马达驱动芯片的运放失调自校准电路有效
申请号: | 201821231215.4 | 申请日: | 2018-08-01 |
公开(公告)号: | CN208581220U | 公开(公告)日: | 2019-03-05 |
发明(设计)人: | 裴栋;陈壮梁;李高林;何迟;汪兵 | 申请(专利权)人: | 武汉韦尔半导体有限公司 |
主分类号: | H03M1/00 | 分类号: | H03M1/00;H03M1/10 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 乐综胜 |
地址: | 430074 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 运放 输出端 计数锁存器 输入端连接 驱动芯片 音圈马达 比较器 振荡器 失调 数模转换器校准 自校准电路 输入端 马达驱动芯片 本实用新型 负极输入端 信号反馈端 测试成本 模转换器 输出电流 系统电池 芯片开发 校准 减小 熔丝 应用 | ||
1.一种应用于音圈马达驱动芯片的运放失调自校准电路,其特征在于,包括运放OPAMP、计数锁存器、比较器、振荡器和数模转换器校准DAC,运放OPAMP的输出端与比较器的负极输入端连接,比较器的输出端与振荡器的输入端和计数锁存器的一个输入端连接,振荡器的输出端与计数锁存器的另一个输入端连接,计数锁存器的输出端与数模转换器校准DAC的输入端连接,数模转换器校准DAC的输出端与运放OPAMP的信号反馈端连接,运放OPAMP的输入端和输出端还分别用于与音圈马达驱动芯片的输出级电路连接。
2.根据权利要求1所述的应用于音圈马达驱动芯片的运放失调自校准电路,其特征在于,运放OPAMP的输出端与比较器的负极输入端之间连接有开关POR,开关POR与音圈马达驱动芯片连接,音圈马达驱动芯片上电复位,开关POR变为高电平,使开关POR处于闭合状态。
3.根据权利要求1所述的应用于音圈马达驱动芯片的运放失调自校准电路,其特征在于,所述的数模转换器校准DAC为N位电流型数模转换器,计数锁存器为N位计数锁存器。
4.根据权利要求1所述的应用于音圈马达驱动芯片的运放失调自校准电路,其特征在于,音圈马达驱动芯片的输出级电路包括数模转换器主DAC、电流检测电阻Rsense和输出级功率晶体管NM0,数模转换器主DAC的输出端与运放OPAMP的正极输入端连接,电流检测电阻Rsense的一端接地,电流检测电阻Rsense的另一端与运放OPAMP的负极输入端和输出级功率晶体管NM0的源极连接,输出级功率晶体管NM0的栅极与运放OPAMP的输出端连接;
电流检测电阻Rsense与运放OPAMP的负极输入端之间连接有第四开关,数模转换器主DAC与运放OPAMP的正极输入端之间连接有第三开关,输出级功率晶体管NM0的栅极与运放OPAMP的输出端之间连接有第五开关,第三开关、第四开关和第五开关的控制端与第一反相器的输出端COB连接;
运放OPAMP的正极输入端通过第一开关接地,运放OPAMP的负极输入端通过第二开关接地,第一开关和第二开关的控制端与第二反相器的输出端CO连接。
5.根据权利要求1所述的应用于音圈马达驱动芯片的运放失调自校准电路,其特征在于,运放OPAMP的失调电压的范围为[-100mV,0mV]。
6.根据权利要求1所述的应用于音圈马达驱动芯片的运放失调自校准电路,其特征在于,运放OPAMP包括输入对管MP0a、输入对管MP0b、偏置电流IBIAS、负载MOS管MN1、负载MOS管MN2、负载MOS管MN3、负载MOS管MN4、下拉使能MOS管MN5和可调电流镜负载,输入对管MP0a的源极与输入对管MP0b的源极和偏置电流IBIAS连接,输入对管MP0a的漏极与负载MOS管MN1的源极和负载MOS管MN3的漏极连接,输入对管MP0b的漏极与负载MOS管MN2的源极和负载MOS管MN4的漏极连接,负载MOS管MN1的漏极与可调电流镜负载的输入端连接,负载MOS管MN2的漏极与可调电流镜负载的输出端和下拉使能MOS管MN5的漏极连接,并作为运放OPAMP的输出端,负载MOS管MN3的源极与负载MOS管MN4的源极和下拉使能MOS管MN5的源极连接,并接地;
输入对管MP0a的栅极和输入对管MP0b的栅极分别作为运放OPAMP的正极输入端和负极输入端。
7.根据权利要求6所述的应用于音圈马达驱动芯片的运放失调自校准电路,其特征在于,负载MOS管MN1的栅极和负载MOS管MN2的栅极均连接有偏置电压Vnbias1,负载MOS管MN3的栅极和负载MOS管MN4的栅极均连接有偏置电压Vnbias2。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉韦尔半导体有限公司,未经武汉韦尔半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821231215.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。