[实用新型]自攻安装的抗强机械振动的射频功率电阻器有效

专利信息
申请号: 201821232381.6 申请日: 2018-08-01
公开(公告)号: CN208637231U 公开(公告)日: 2019-03-22
发明(设计)人: 刘洋 申请(专利权)人: 成都昊天宏达电子有限公司
主分类号: H01C1/14 分类号: H01C1/14;H01C1/01;H01C1/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610000 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 电阻器 引出线 本实用新型 电极膜层 机械振动 射频功率 电极膜 法兰盘 封闭层 自攻 抗疲劳能力 空间利用率 整体可靠性 侧面电极 电阻膜层 覆盖电极 金属引线 振动性能 重叠设置 传统的 耐冲击 膜层 片式 韧度 柱状 相等 替代
【说明书】:

实用新型提出了一种自攻安装的抗强机械振动的射频功率电阻器,包括法兰盘、基体和封闭层,以及电阻膜层和设置在基体上的电极膜,所述法兰盘、覆盖电极膜的基体和封闭层长宽相等由下至上依次重叠设置,基体上连接有金属引线;所述电极膜包括A面电极膜层、B面电极膜层和侧面电极膜层。本实用新型以柱状引出线替代传统的片式引出线,使得引出线的硬度和韧度都大大提升,同时抗疲劳能力也大大增强,电阻器可靠性更高,耐冲击和振动性能更好,大大增强了电阻器的整体可靠性,提高了器件内部的空间利用率,使得器件整体尺寸能够做到更小。

技术领域

本实用新型涉及射频功率电阻器领域,特别是指一种自攻安装的抗强机械振动的射频功率电阻器。

背景技术

随着通信科技的飞速发展,射频器件的使用环境越来越复杂,对随之配套的电阻器自身可靠性要求和环境适应性要求也越来越高,在某些长时间高振动高加速度的环境下,传统片式电阻器的可靠性不能满足要求。在射频器件中,电阻器必须配合射频器件的结构和使用要求,由于部分器件加工工艺的限制,器件不能长时间经历过高的温度,故不能采用焊接安装方式安装电阻器,并且在布局上留给电阻器的安装面积并不大,传统的双孔法兰式结构不能安装;其次,器件为控制体积必须提高内部的空间利用率,内部元件排版极为紧凑,还会利用器件的侧表面进行线路布置,但是电阻器因为散热需要必须紧贴器件的下表面,就出现了微波传输线平面与电阻器安装平面垂直的现象,这时就需要将引线折弯后垂直安装,但传统片式电阻器推荐采用的是水平安装,方法安装则不能保证可靠性要求。

然而现有的技术方案中,弯折安装不能保证电阻器的片式引出线可靠性达到预期要求。双孔法兰安装结构占用安装面积较大,可能无法安装。

实用新型内容

本实用新型提出一种自攻安装的抗强机械振动的射频功率电阻器,能够解决双孔法兰无法安装问题,还能解决引出线弯折安装的可靠性问题。

本实用新型的技术方案是这样实现的:一种自攻安装的抗强机械振动的射频功率电阻器,包括法兰盘、基体和封闭层,以及电阻膜层和设置在基体上的电极膜,所述法兰盘、覆盖电极膜的基体和封闭层长宽相等由下至上依次重叠设置,基体上连接有金属引线;所述电极膜包括A面电极膜层、B面电极膜层和侧面电极膜层,A面电极膜层设置在基体的上表面,B面电极膜层设置在基体的下表面,侧面电极膜层设置在基体侧面并连接A面电极膜层和B面电极膜层;所述电阻膜层位于A面电极膜层之上并与其搭接端搭接,整个电阻膜层覆盖有保护膜层。

作为优选,所述基体采用氧化铍陶瓷,其中一端在厚度方向开有一个用于连接金属引线的通孔,法兰盘在对应通孔的位置开有一个凹型槽,金属引线穿过基体的通孔并与其紧密绕接。

作为优选,所述B面电极膜层采用丝网漏印工艺印在基体的下表面,并且覆盖除通孔外的全部下表面;A面电极膜层包括连接金属引线的引线端和用于接地的接地端两部分,引线端位于基体通孔一端且也开有对应的通孔,接地端位于基体上表面相对的另一端。

作为优选,所述法兰盘表面镀有便于焊接的金属银层,其下表面中间位置开孔设置有供电阻器安装的沉头螺丝。

与现有技术相比,本实用新型的优点在于:以柱状引出线替代传统的片式引出线,使得引出线的硬度和韧度都大大提升,同时抗疲劳能力也大大增强,电阻器可靠性更高,耐冲击和振动性能更好,大大增强了电阻器的整体可靠性。并且,引出线可以随意弯折安装,引出线可与电阻器成垂直状态,这样可以更加有效地利用器件内部的安装面积,提高器件内部空间利用率从而减小器件的整体体积。以自带安装螺钉的法兰结构替代传统双孔法兰结构,有效的节约了安装面积,对器件内部的安装面积面积利用率高。电阻器能抗更恶劣的机械冲击环境。在高加速度高振动的条件下,弯折安装的引出线仍然能够保持出色的结构性能,保障了电阻器可靠性能,使得恶劣条件下电阻器仍然能够达到预期的工作效果。节约电阻器的安装空间。在无法采用焊接安装的条件下,直接将螺钉和法兰结合在一起,安装仅仅占用电阻器的有效面积,不会占用多余的安装空间,提高了器件内部的空间利用率,使得器件整体尺寸能够做到更小。

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