[实用新型]DDR接收器用参考电平电路

说明书

本实用新型公开了一种DDR接收器用参考电平电路，包括：用于产生参考电平，并将参考电平转换参考电流的参考电平单元；分别连接所述参考电平单元的多个接口信号单元组；置于每个所述接口信号单元组中，用于将参考电流转换为参考电平的转换电路。本实用新型能有效避免横贯线的噪声影响，并节省芯片面积。

技术领域

本实用新型涉及DDR(双倍速率同步动态随机存储器)技术领域，尤其涉及用于DDR接收器的参考电平电路。

背景技术

在DDR接口电路中，接收器参考电平的电路需要单独的单元，用来外接参考电平的封装，静电防护或者内部产生参考电平，该参考电平横贯所有DDR接口信号单元，如图2所示，包括参考电平单元1’和各DDR接口信号单元2’。随着接口数量的增多以及工作速度的提高，参考电平横贯线噪声越来越大。

另一个常用的方案是在每组接口信号单元里增加一个参考电平单元，如图3所示，包括参考电平单元1’和各DDR接口信号单元组200’导致芯片面积增大，成本增高。

因此，如何避免横贯线的噪声影响和节省芯片面积，是本领域技术人员需要研究的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种DDR接收器用参考电平电路，能有效避免横贯线的噪声影响，并节省芯片面积。

实现上述目的的技术方案是：

一种DDR接收器用参考电平电路，包括：

用于产生参考电平，并将参考电平转换参考电流的参考电平单元；

分别连接所述参考电平单元的多个接口信号单元组；以及

置于每个所述接口信号单元组中，用于将参考电流转换为参考电平的转换电路。

优选的，所述参考电平单元包括：运算放大器、第一电阻、第一至第四PMOS管以及第一至第二NMOS管，其中，

所述运算放大器的同相输入端接收参考电平，反相输入端连接所述第一PMOS管的漏极；

所述第一至第四PMOS管各自的源极接电源，各自的栅极连接所述运算放大器的输出端；

所述第一NMOS管的漏极通过第一电阻连接所述第一PMOS管的漏极，栅极连接所述运算放大器的反相输入端，源极连接所述第二NMOS管的漏极；

所述第二NMOS管的栅极连接所述第一NMOS管的漏极，源极接地。

优选的，所述参考电平单元还包括用于产生参考电平的电平产生电路。

优选的，所述转换电路包括并联的三组转换单元；

每组转换单元包括：第二电阻、第三NMOS管、第四NMOS管、第一开关和第二开关，其中，

所述第三NMOS管的漏极通过第二电阻连接所述参考电平单元，栅极通过第一开关连接所述参考电平单元，源极连接所述第四NMOS管的漏极；

所述第四NMOS管的栅极连接所述第三NMOS管的漏极，源极接地；

所述第三NMOS管的栅极通过第二开关接地。

本实用新型的有益效果是：本实用新型先将参考电平单元产生的参考电平转换成参考电流，流入每组接口信号单元，在每组接口信号单元里头再转换为参考电压，从而避免了横贯线的噪声影响，减少了参考电平训练过程中所需要的稳定时间，并且不增加参考电平单元数量，节省芯片面积，不过多增加成本。

附图说明

图1是本实用新型的DDR接收器用参考电平电路的结构图；

图2是现有技术中参考电平横贯所有接口信号单元的示意图；