[实用新型]一种太阳能电池芯片有效
| 申请号： | 201821238412.9 | 申请日： | 2018-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN208655661U | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 郁操 | 申请（专利权）人： | 君泰创新（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 邢惠童 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区亦*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池芯片 叠层 栅线 电极 透明导电层 本实用新型 减反射层 硅掺杂 衬底 太阳能电池领域 电池效率 入射光量 依次设置 波长段 钝化层 反射光 减反射 入射光 本征 电阻 减小 两层 穿过 | ||
1.一种太阳能电池芯片，其特征在于，所述太阳能电池芯片包括：
衬底(1)；
在所述衬底(1)的至少一面上依次设置有本征钝化层(2)、硅掺杂层(3)、透明导电层(4)和电极(5)；以及
在所述透明导电层(4)远离所述硅掺杂层(3)的一面设置有减反射层(6)；
其中，所述电极(5)穿过所述减反射层(6)设置在所述透明导电层(4)上；
所述电极(5)包括第一栅线叠层(51)和第二栅线叠层(52)；
所述第一栅线叠层(51)设置在所述透明导电层(4)上，所述第二栅线叠层(52)设置在所述第一栅线叠层(51)上。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池芯片，其特征在于，所述减反射层(6)包括多个减反射薄膜单元(61)；
所述电极(5)设置在每相邻两个所述减反射薄膜单元(61)之间。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池芯片，其特征在于，所述第一栅线叠层(51)为银栅线或铜栅线，所述第二栅线叠层(52)为铜栅线或银栅线。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池芯片，其特征在于，所述第一栅线叠层(51)的线宽为20-50μm，高度为2-10μm；
所述第二栅线叠层(52)的线宽为20-50μm，高度大于15μm。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池芯片，其特征在于，所述减反射层(6)为氮化硅薄膜和/或氧化硅薄膜。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池芯片，其特征在于，在所述衬底(1)的两面均依次设置有本征钝化层(2)、硅掺杂层(3)、透明导电层(4)、电极(5)；
其中，在所述衬底(1)的一面设置的硅掺杂层(3)为n型掺杂层，在所述衬底(1)的另一面设置的硅掺杂层(3)为p型掺杂层。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池芯片，其特征在于，靠近所述n型掺杂层的所述透明导电层(4)和所述减反射层(6)的总厚度为70-80nm；靠近所述p型掺杂层的所述透明导电层(4)和所述减反射层(6)的总厚度为70-160nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
