[实用新型]一种图形化衬底、LED外延片有效
| 申请号： | 201821239873.8 | 申请日： | 2018-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN208738290U | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 付星星;康凯;陆前军 | 申请（专利权）人： | 东莞市中图半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图形化 衬底 微结构 二氧化硅层 蓝宝石基板 侧壁 本实用新型 制备 出光效率 二氧化硅 发光效率 出射光 全反射 散射 源区 | ||
【权利要求书】：
1.一种图形化衬底，其特征在于，包括：
蓝宝石基板；
位于所述蓝宝石基板上的图形化二氧化硅层，所述图形化二氧化硅层包括多个微结构，所述微结构带有侧壁弧度。
2.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述微结构为类圆锥形、类圆台型、类多边锥形或类多边台形。
3.根据权利要求2所述的图形化衬底，其特征在于，所述微结构的侧壁弧度的隆起高度为70～300nm。
4.根据权利要求3所述的图形化衬底，其特征在于，所述微结构的高度为0.1μm～2.5μm。
5.根据权利要求3所述的图形化衬底，其特征在于，所述微结构的底部直径为0.1μm～5μm。
6.根据权利要求3所述的图形化衬底，其特征在于，所述微结构的间距为0μm～2μm。
7.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述图形化衬底还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述图形化二氧化硅层背离所述蓝宝石基板一侧。
8.根据权利要求7所述的图形化衬底，其特征在于，所述缓冲层为AlN缓冲层，所述AlN缓冲层厚度为1nm～100nm。
9.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述多个微结构呈周期性正方格子排布、周期性六角密堆积排布、非周期性的准晶排布或随机排布。
10.一种LED外延片，其特征在于，包括如权利要求1-9任一所述的图形化衬底，以及形成于图形化衬底上的外延层。
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