[实用新型]氮化镓晶体管

权利要求书

1.一种氮化镓晶体管，包括：

衬底；

氮化镓层，位于所述衬底上；

势垒层，位于所述氮化镓层上；

至少一个第二复合叠层，位于所述势垒层上；以及

栅极电极、源极电极与漏极电极，位于所述势垒层上，并且所述栅极电极位于所述源极电极和所述漏极电极之间，

其中，所述至少一个第二复合叠层包括堆叠的第二掺杂层和第二插入层，所述漏极电极的第一部分与至少一个所述第二掺杂层接触，所述漏极电极的第二部分与所述势垒层接触。

2.根据权利要求1所述的氮化镓晶体管，其中，所述氮化镓晶体管包括一个所述第二复合叠层，所述第二插入层位于所述第二掺杂层和所述势垒层之间。

3.根据权利要求1所述的氮化镓晶体管，其中，所述氮化镓晶体管包括多个所述第二复合叠层，所述多个第二复合叠层依次堆叠，

在与所述势垒层相邻的所述第二复合叠层中，所述第二插入层位于所述第二掺杂层和所述势垒层之间，

在相邻的两个所述第二复合叠层中，其中之一的所述第二掺杂层与另一所述第二插入层接触。

4.根据权利要求1所述的氮化镓晶体管，其中，还包括：至少一个第一复合叠层，位于所述势垒层上，所述至少一个第一复合叠层包括堆叠的第一掺杂层和第一插入层，所述栅极电极与至少一个所述第一掺杂层彼此接触。

5.根据权利要求4所述的氮化镓晶体管，其中，所述氮化镓晶体管包括一个所述第一复合叠层，所述第一插入层位于所述第一掺杂层和所述势垒层之间。

6.根据权利要求4所述的氮化镓晶体管，其中，所述氮化镓晶体管包括多个所述第一复合叠层，所述多个第一复合叠层依次堆叠，

在与所述势垒层相邻的所述第一复合叠层中，所述第一插入层位于所述第一掺杂层和所述势垒层之间，

在相邻的两个所述第一复合叠层中，其中之一的所述第一掺杂层与另一所述第一插入层接触。

7.根据权利要求1所述的氮化镓晶体管，其中，所述第二掺杂层作为空穴注入区。

8.根据权利要求4所述的氮化镓晶体管，其中，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层分别为掺杂氮化物，所述第一插入层和所述第二插入层分别为介质材料。

9.根据权利要求8所述的氮化镓晶体管，其中，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层中的掺杂剂分布为组分固定、组分渐变和组分突变中的任一种。

10.根据权利要求8所述的氮化镓晶体管，其中，所述第一掺杂层包括p型掺杂剂。

11.根据权利要求10所述的氮化镓晶体管，其中，所述第一掺杂层包括选自镁、钙、铍化锌、碳或者组合中的任一种。

12.根据权利要求10所述的氮化镓晶体管，其中，所述第二掺杂层包括p型掺杂剂，和/或n型掺杂剂。

13.根据权利要求12所述的氮化镓晶体管，其中，所述第二掺杂层包括选自镁、钙、铍化锌、碳或者组合中的任一种，和/或选自硅、氧或其组合中的任一种。

14.根据权利要求12所述的氮化镓晶体管，其中，所述第二掺杂层的掺杂剂选自所述p型掺杂剂，其中，所述第一复合叠层与所述第二复合叠层在同一制造步骤中形成。

15.根据权利要求13所述的氮化镓晶体管，其中，所述第二掺杂层的掺杂类型和/或掺杂浓度设置为位于所述第二掺杂层下方的氮化镓层中的沟道在零偏压下处于导通状态，在反向截止状态所述第二掺杂层向所述氮化镓层中的沟道注入空穴。

16.根据权利要求4所述的氮化镓晶体管，其中，所述栅极电极与所述第一掺杂层形成欧姆接触或肖特基接触。