[实用新型]传感器与触摸屏有效
申请号: | 201821244402.6 | 申请日: | 2018-08-02 |
公开(公告)号: | CN208589004U | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
发明(设计)人: | 王永刚 | 申请(专利权)人: | 北京集创北方科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041;G06F3/044 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 韩建伟;霍文娟 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 支部 传感器 驱动电极层 感应电极 驱动主体 主体部 驱动 感应电极层 驱动电极 依次排列 触摸屏 触摸灵敏度 镂空区域 缓解 申请 | ||
本申请提供了一种传感器与触摸屏。该传感器包括感应电极层和驱动电极层,感应电极层包括多个按照第一方向依次排列的感应电极,驱动电极层包括多个按照第二方向依次排列的驱动电极,第一方向与第二方向之间具有夹角且夹角不为0°,感应电极包括感应主体部,驱动电极层包括驱动主体部,感应电极还包括感应支部和/或驱动电极还包括驱动支部,感应支部和驱动支部均不包括镂空区域,感应支部突出于感应主体部,感应支部设置在相邻的两个驱动主体部之间,驱动支部突出于驱动主体部,驱动支部设置在相邻的两个感应主体部之间。该传感器可以缓解触摸灵敏度较差的问题、信噪比较小的问题以及有乱报点的问题。
技术领域
本申请涉及触摸屏领域,具体而言,涉及一种传感器与触摸屏。
背景技术
互容式触摸屏的主流设计图案主要有单层多点、单层氧化铟锡(Single IndiumTin Oxides,简称SITO)架桥和双层氧化铟锡(Double Indium Tin Oxides,简称DITO)架桥。其中,单层多点图案的特点是:可以做超薄设计,成本低,但是有盲区存在,触摸精准度等较低。SITO架桥图案的特点是:可以做超薄设计,但是成本高,且金属架桥在视窗区可见。DITO架桥图案的特点是:1、氧化铟锡(Indium Tin Oxides,简称ITO)分上下两层,一般感应电极分布在上层ITO,驱动电极分布在下层ITO;2、上层ITO和下层ITO之间由玻璃、聚对本二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate,简称PET)膜和/或光学透明胶粘剂(Optically Clear Adhesive,简称OCA)等隔离。DITO架桥图案的优点是成本适中,触摸精准对高,缺点是做超薄设计时存在互电容过大的问题。
触控产品为了满足市场需求,越来越重视轻薄化的设计。产品变薄,各个部件都需要尽可能的压缩厚度设计。触摸屏模组也需要压缩厚度,如果采用DITO架桥图案,上下两层ITO之间的隔离层就需要减薄处理。随着上下两层ITO的距离靠近,感应电极和驱动电极间的电容值也会相应增大。产品在调试或者应用过程中,过大的电容值会造成数据饱和,抗噪声能力也会相应受到影响。
图1是行业内DITO架桥的常规电极图案(为了方便直观展示,悬浮游离块已去掉)。采用此图案做仿真模型,在仿真图案上增加铜柱03,用来模拟手指触摸触控面板(TouchPannel,简称TP),形成图2的结构,得到的仿真数据见表1。
表1
表中,传感器厚度指的是感应电极01和驱动电极02之间的垂直距离,TP轻薄化需要减薄的就是传感器厚度;初始互容值是没有触摸操作时,中间的感应电极01和中间的驱动电极02之间的互容值;放置铜柱03后的容值指在模型中加入铜柱来模拟手指触摸,触摸位置的电容会有变化;变化量指的是触摸前后电容的变化量,单位pF;变化量占比指的是电容的变化量和初始互容值的比值。
由上表可知,该图案适用于上下层ITO间隔较大的情况,当为了满足产品减薄要求,应用在超薄结构的TP时(例如表中的传感器厚度为0.1mm与0.05mm的情况),会有原始电容值过大,变化量占比过小的问题。产品在调试或者应用时的直接问题就是触摸灵敏度不够,信噪比较小,有乱报点的风险。
在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解,因此,背景技术中可能包含某些信息,这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。
实用新型内容
本申请的主要目的在于提供一种传感器与触摸屏,以解决现有技术中的传感器中的变化量占比较小导致的问题。
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