[实用新型]一种碳化硅晶体的生长装置有效
申请号: | 201821245929.0 | 申请日: | 2018-08-03 |
公开(公告)号: | CN208649506U | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 陈华荣;张洁;廖弘基;蔡如腾 | 申请(专利权)人: | 福建北电新材料科技有限公司 |
主分类号: | C30B29/36 | 分类号: | C30B29/36;C30B23/00 |
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地址: | 362411 福建省*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 碳化硅晶体 籽晶夹持器 生长装置 坩埚盖 物理气相沉积法 本实用新型 碳化硅原料 碳化硅籽晶 生长过程 导气槽 导气孔 反应时 夹持器 导通 夹爪 盛放 坩埚 凝结 生长 | ||
1.一种碳化硅晶体的生长装置,用于通过物理气相沉积法生长碳化硅晶体,包括坩埚盖、盛放碳化硅原料的坩埚,其特征在于:所述坩埚盖上设置有籽晶夹持器,所述籽晶夹持器在碳化硅晶体生长过程中通过夹爪固定碳化硅籽晶,所述籽晶夹持器包括导气孔或导气槽或两者兼有,导通反应时的气流,避免气流在夹持器内凝结。
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体的生长装置,其特征在于:所述导气孔的数目为4~16个。
3.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体的生长装置,其特征在于:所述导气孔的高度和宽度最少为2mm。
4.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体的生长装置,其特征在于:所述籽晶夹持器具有支撑部件,支撑部件固定碳化硅籽晶位置。
5.根据权利要求4所述的一种碳化硅晶体的生长装置,其特征在于:所述支撑部件与碳化硅籽晶的接触区域为离散型的,每个接触区域面积为1~10mm2。
6.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体的生长装置,其特征在于:所述坩埚盖具有凸起的台面,所述碳化硅籽晶通过石墨纸或者多孔碳纤维层与台面连接。
7.根据权利要求6所述的一种碳化硅晶体的生长装置,其特征在于:所述石墨纸的厚度为1~2mm。
8.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体的生长装置,其特征在于:所述籽晶夹持器通过卡扣结构扣在坩埚盖上。
9.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体的生长装置,其特征在于:所述籽晶夹持器至少由两部分组合而成。
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