[实用新型]一种背入式雪崩光电探测器芯片

权利要求书

1.一种背入式雪崩光电探测器芯片，其特征在于，所述背入式雪崩光电探测器芯片包括：

外延片，所述外延片包括芯片衬底以及设置在所述芯片衬底一侧表面的外延功能层；所述外延功能层背离所述芯片衬底的一侧表面内具有扩散区；

钝化层，所述钝化层覆盖所述外延功能层背离所述芯片衬底的一侧表面，且具有露出所述扩散区的开口；

第一电极，所述第一电极位于所述外延功能背离所述芯片衬底的一侧，所述第一电极通过所述开口与所述扩散区电连接；

第二电极，所述第二电极不透光，位于所述芯片衬底背离所述外延功能层的一侧表面，且与所述扩散区相对的区域设置有通光窗口；

其中，所述第二电极背离所述芯片衬底的一侧表面为反射面。

2.根据权利要求1所述的背入式雪崩光电探测器芯片，其特征在于，所述背入式雪崩光电探测器芯片与陶瓷基板相对固定；

所述陶瓷基板的一侧表面具有焊接金属层；

其中，所述外延功能层朝向所述陶瓷基板设置，且通过所述第一电极与所述焊接金属层焊接固定。

3.根据权利要求1所述的雪崩光电探测器芯片，其特征在于，所述第二电极包括：层叠设置的Ni层以及金层，且Ni层位于所述金层与所述芯片衬底之间。

4.根据权利要求3所述的雪崩光电探测器芯片，其特征在于，所述Ni层的厚度范围是包括端点值；

所述金层的厚度大于

5.根据权利要求1所述的雪崩光电探测器芯片，其特征在于，所述扩散区位于所述外延功能层背离所述芯片衬底的一侧表面的中心区域，所述通光窗口位于所述芯片衬底背离所述外延功能层一侧表面的中心区域；

在第一方向上，所述通光窗口的中心轴线与所述扩散区的中心轴线重合，且所述通光窗口在所述扩散区的正投影位于所述扩散区内；

其中，所述第一方向垂直于所述芯片衬底。

6.根据权利要求1-5任一项所述的雪崩光电探测器芯片，其特征在于，所述外延功能层背离所述芯片衬底的一侧表面包括第一区域以及包围所述第一区域的第二区域；

所述第一区域包括中心区域以及包围所述中心区域的扩散保护环区域；

其中，所述扩散区位于所述中心区域，所述扩散保护环区域内具有Be离子注入扩散保护环。

7.根据权利要求6所述的雪崩光电探测器芯片，其特征在于，所述Be离子注入扩散保护环中Be元素的离子注入深度为d1；

所述扩散区为Zn扩散区，Zn元素的扩散深度为d2；

其中，1μm＜d1-d2＜10μm。

8.根据权利要求6所述的雪崩光电探测器芯片，其特征在于，所述扩散区为Zn扩散区，Zn元素的扩散深度为d2；

其中，2μm＜d2＜5μm。

9.根据权利要求6所述的雪崩光电探测器芯片，其特征在于，所述Be离子注入扩散保护环的外径为D1，内径为D2；

其中，0＜(D1-D2)/2＜10μm。

10.根据权利要求6所述的雪崩光电探测器芯片，其特征在于，所述Be离子注入扩散保护环的外径为D1；

其中，10μm＜D1＜30μm。