[实用新型]一种微流道印刷成型装置

说明书

本实用新型涉及微流道印刷成型技术领域，公开了一种微流道印刷成型装置。本实用新型的微流道印刷成型装置包括电源以及电极，所述电极呈微流道形状，所述电源与所述电极电连接，使所述电极产生等离子体。本实用新型的微流道印刷成型装置具有高效、安全、成本低的好处。

技术领域

本实用新型涉及微流道印刷成型技术领域，尤其是涉及一种微流道印刷成型装置。

背景技术

微流控芯片是一种在微米尺度空间对流体进行槽孔为主要特征的科学技术，具有将生物、化学等实验室的基本功能微缩到一个几平方厘米芯片上的功能，因此又称为芯片实验室。

完整的微流控芯片包括芯片基材、设于基材上的微米尺度的流道、物质交换管道、微泵、微阀以及其他控制系统，比如温度调控系统、磁场调控系统、电场调控系统等。其中，在基材上加工出微米尺度的沟槽，使之作为液体或气体流道，并在发生层流现象是微流控芯片最重要的步骤之一。

目前，湿法刻蚀、干法刻蚀与激光三维直写技术是在基材上加工尾流道三种主要方法。

湿法刻蚀以氢氟酸为刻蚀液，以具有微流道图样的刻蚀膜作为遮掩物，在玻璃基板上刻蚀出微流道。

干法刻蚀以真空等离子体作为刻蚀媒介，同样以具有微流道图样的刻蚀膜作为遮掩物在玻璃基板上刻蚀出微流道。

湿法刻蚀与干法刻蚀都需要预先加工出具有微流道图样的刻蚀膜，该刻蚀膜是通过光刻法得到的。激光刻蚀(即光刻法)的一般流程包括，首先在玻璃基板上用甩胶机铺设一层均匀的光刻胶，然后在具有微流道图样的光掩膜的保护下，在自光线下曝光，被紫光先照到的部分，光刻胶发生聚合反应；接下来用显影液冲洗光刻胶，发生聚合反应的部分被冲刷下来，从而在光刻胶上形成了微流道的图样，这样，用于湿法刻蚀与干法刻蚀的刻蚀膜就制备成功了。

激光三维直写技术的加工步骤一般包括，首先在透明介质内部用激光扫描聚焦焦斑，由于激光和透明介质的相互作用仅发生在激光焦斑中心有限的三维区域中，所以可以保证较高的加工精度，被激光焦斑扫描的区域发生改性，然后通过热处理使改性部分发生结晶，这些结晶部分具有更容易被氢氟酸刻蚀的特性，最后采用氢氟酸有选择的把被改性结晶的部分刻蚀掉，从而在玻璃内部完成微流道的加工。

湿法刻蚀、干法刻蚀、激光直写技术虽然各有优势，但是它们的缺点也不容忽视。湿法刻蚀的精度较高，但是前期的光刻法耗时耗力，后期用到的刻蚀液(氢氟酸)对人体伤害作用极大，应用过程中必须严格遵守应用流程并做好防护，这极大限制了湿法刻蚀的广泛应用；干法刻蚀除了前期需要光刻法制备遮掩膜以外，刻蚀需要用到真空设备，这造成了刻蚀面积有限，加工效率低下，而且加工表面较为粗糙；激光直写技术还处于研究阶段，其原理还备有得到公认的说法，合适的实验参数还需要大量的实验来总结，而且激光直写技术需要用到的设备十分昂贵。

实用新型内容

为了克服现有技术的不足，本实用新型提供一种微流道印刷成型装置，通过产生等离子体对基板进行印刷加工，无需使用以光刻法得到的刻蚀膜，也不需要用到氢氟酸刻蚀液，印刷的装置属于常规容易得到的装置，成本低。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

本实用新型提供一种微流道印刷成型装置，包括电源以及电极，所述电极包括与待成型的微流道的形状相同的成型结构，所述电源与所述电极电连接，可使所述电极产生等离子体。

作为上述技术方案的进一步改进，还包括供气系统，进行印刷时，所述供气系统向所述电极与待印刷基板之间通入辅助气体。

作为上述技术方案的进一步改进，还包括与所述电极间距设置的传送平台，沿所述传送平台的传输方向上，若干待印刷基板随所述传送平台依次移动到所述电极与所述传送平台之间，并在印刷后随所述传送平台移走。