[实用新型]MEMS器件和自动聚焦系统

权利要求书

1.一种MEMS器件，其特征在于，包括：

支撑体，至少部分地由半导体材料形成；

第一腔体，在所述支撑体内延伸；

膜，包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，并且所述膜包括在所述第一表面上固定到所述支撑体的周边部分和在所述第一腔体上方延伸的悬置部分；

突出区域，固定到所述膜的所述第一表面；

第一可变形结构，在所述膜的所述悬置部分的所述第二表面上方延伸，与所述膜的所述悬置部分的中心部分相隔一段距离，所述第一可变形结构相对于所述突出区域而朝向所述膜的所述周边部分横向突出，并且所述突出区域相对于所述第一可变形结构而朝向所述膜的所述悬置部分的中心部分横向突出，所述第一可变形结构以电可控制的方式是可变形的，以致使所述膜的所述悬置部分的变形，从而致使所述悬置部分的中心部分沿第一方向平移；和

第二可变形结构，至少部分地在所述膜的所述悬置部分的第二表面上方延伸，所述第二可变形结构在所述膜的所述周边部分的方向上从所述第一可变形结构横向偏移，所述第二可变形结构以电可控制的方式是可变形的，以致使所述膜的所述悬置部分的变形，从而致使所述悬置部分的中心部分沿不同于所述第一方向的第二方向平移。

2.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述突出区域的厚度大于所述膜的厚度的两倍。

3.根据权利要求2所述的MEMS器件，其特征在于，

所述第一可变形结构包括由压电材料形成的至少一个内部可变形区域或者对应的具有不同热膨胀系数的材料的重叠区域对；和

所述第二可变形结构包括由压电材料形成的至少一个外部可变形区域或者对应的具有不同热膨胀系数的材料的重叠区域对。

4.根据权利要求3所述的MEMS器件，其特征在于，所述内部可变形区域围绕所述膜的所述悬置部分的中心部分，并且其中所述外部可变形区域以一段距离围绕所述内部可变形区域。

5.根据权利要求3所述的MEMS器件，其特征在于，

所述第一可变形结构包括多个内部可变形区域，所述多个内部可变形区域围绕所述膜的所述悬置部分的中心部分布置；和

所述第二可变形结构包括多个外部可变形区域，所述内部可变形区域和所述外部可变形区域成角度地相互交叉。

6.根据权利要求5所述的MEMS器件，其特征在于，所述膜的所述悬置部分的中心部分具有对称轴线，并且其中所述内部可变形区域最接近所述对称轴线并且与所述对称轴线间隔开第一距离，并且其中最接近所述膜的所述周边部分的对称轴线的点与所述对称轴线间隔开第二距离，并且其中所述第一距离大于所述第二距离的三分之二。

7.根据权利要求6所述的MEMS器件，其特征在于，所述至少一个内部可变形区域和所述至少一个外部可变形区域是相同的压电材料。

8.根据权利要求7所述的MEMS器件，其特征在于，所述压电材料是单晶态型压电材料。

9.根据权利要求8所述的MEMS器件，其特征在于，所述压电材料是PZT。

10.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，还包括延伸通过所述膜的孔，并且其中所述突出区域界定延伸通过所述突出区域的整个厚度的第二腔体，所述第二腔体面向所述孔。

11.根据权利要求10所述的MEMS器件，其特征在于，还包括光学耦合到所述孔和所述次腔体的透镜，并且其中所述透镜机械地耦合到所述膜并且响应于所述膜的变形而变形。