[实用新型]一种窄脉冲红外半导体激光发射电路有效

专利信息
申请号: 201821257387.9 申请日: 2018-08-06
公开(公告)号: CN208580948U 公开(公告)日: 2019-03-05
发明(设计)人: 赵秀冕 申请(专利权)人: 北京国科欣翼科技有限公司
主分类号: H01S5/042 分类号: H01S5/042
代理公司: 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙) 11210 代理人: 李常芳
地址: 100000 北京市海淀区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 本实用新型 发射电路 窄脉冲 红外半导体激光 电源电路连接 激光驱动电路 脉冲发射电路 控制电路 升压电路 激光器 激光测距仪 电源电路
【权利要求书】:

1.一种窄脉冲红外半导体激光发射电路,其特征在于,包括电源电路,所述的电源电路连接有升压电路和脉冲发射电路,所述的升压电路和脉冲发射电路均连接有激光驱动电路,所述的激光驱动电路连接有激光器,所述的激光器连接有控制电路和FR开关,所述的控制电路与所述FR开关和电源电路连接。

2.根据权利要求1所述的一种窄脉冲红外半导体激光发射电路,其特征在于,所述的升压电路为Boost升压电路。

3.根据权利要求2所述的一种窄脉冲红外半导体激光发射电路,其特征在于,所述的Boost升压电路包括电连接的方波发生电路和升压电路。

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