[实用新型]一种大功率单向TVS器件

权利要求书

1.一种单向TVS器件，其特征在于：在硅片上进行双面版图设计，其中：

硅片正面版图包括P+区、N+区、接触孔、正面阴极金属；N+区在中心区域，P+区围绕N+区呈环状结构，同时P+区与N+区之间存在间隔；接触孔只打开正面N+区，使得正面阴极金属通过接触孔只引出N+区；

硅片背面版图包括P+区、N+区、背面阳极金属；硅片背面无介质层，背面阳极金属直接与硅片背面整体全部接触，即将硅片背面的P+区和N+区进行短接引出。

2.根据权利要求1所述的单向TVS器件，其特征在于：硅片背面的N+区和P+区与硅片正面的N+区和P+区的版图相同。

3.根据权利要求1所述的单向TVS器件，其特征在于：正面阴极金属以及背面阳极金属的长度和宽度与硅片的长度和宽度一致。

4.根据权利要求1所述的单向TVS器件，其特征在于：硅片长度为1.2～2.0mm，宽度为1.0～1.8mm，P+区与N+区面积比例为1:1至1:6，P+区与N+区的间距为50～120μm。

5.根据权利要求4所述的单向TVS器件，其特征在于：P+区与N+区面积比例为1:3，P+区与N+区的间距为60～80μm。

6.根据权利要求1所述的单向TVS器件，其特征在于：硅片长度为0.8～1.6mm，宽度为0.5～1.4mm，P+区与N+区面积比例为1:2至1:5，P+区与N+区的间距为30～100μm。

7.根据权利要求6所述的单向TVS器件，其特征在于：更为优选的，P+区与N+区面积比例为1:3至1:4，P+区与N+区间距为45～55μm。