[实用新型]同步整流器控制器及离线电源转换器有效

专利信息
申请号: 201821261431.3 申请日: 2018-08-07
公开(公告)号: CN209088818U 公开(公告)日: 2019-07-09
发明(设计)人: 陶志波;陈雷;韦凯方 申请(专利权)人: 半导体组件工业公司
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335;H02M1/08;H02H7/12
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 章蕾
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 晶体管 控制器 同步整流器 输出端 输入端 转换器 栅极驱动器 离线电源 漏极端子 漏极 电路 本实用新型 电路响应 接通电压 驱动信号 栅极端子 栅极信号 过电压 源极 输出 响应
【权利要求书】:

1.一种用于控制具有漏极、栅极和源极的同步整流器晶体管的同步整流器控制器,其特征在于包括:

控制器,所述控制器具有适于在漏极端子处耦接到所述同步整流器晶体管的所述漏极的输入端,以及用于响应于此而提供驱动信号的输出端;

栅极驱动器,所述栅极驱动器具有耦接到所述控制器的所述输出端的输入端,以及适于在栅极端子处耦接到所述同步整流器晶体管的所述栅极的用于向其提供栅极信号的输出端;

第一晶体管,所述第一晶体管具有耦接到所述栅极端子的漏极、栅极、以及耦接到地的源极;以及

保护电路,所述保护电路具有耦接到所述漏极端子的输入端,以及耦接到所述第一晶体管的所述栅极的输出端,其中所述保护电路响应于所述漏极端子上的电压超过第一电压,而在所述第一晶体管的所述栅极上提供大于所述第一晶体管的接通电压且小于所述第一晶体管的过电压的电压。

2.根据权利要求1所述的同步整流器控制器,其特征在于所述控制器由第一电源电压供电,并且所述保护电路由所述漏极端子和地上的电压而不是由所述第一电源电压供电。

3.根据权利要求1所述的同步整流器控制器,其特征在于所述保护电路包括:

第二晶体管,所述第二晶体管具有耦接到所述漏极端子的漏极、栅极、以及耦接到所述第一晶体管的所述栅极的源极;

第一齐纳二极管,所述第一齐纳二极管具有耦接到所述第二晶体管的所述源极的阴极,以及耦接到地的阳极;以及

偏置电路,所述偏置电路具有耦接到所述漏极端子的第一端子、耦接到所述第二晶体管的所述栅极的第二端子、以及耦接到地的第三端子,其中响应于所述漏极端子上的所述电压,所述偏置电路将所述第二晶体管的所述栅极偏置为大于所述第一齐纳二极管的击穿电压加上所述第二晶体管的阈值电压的电压。

4.根据权利要求3所述的同步整流器控制器,其特征在于所述偏置电路包括:

电阻器,所述电阻器具有耦接到所述漏极端子的第一端子,以及耦接到所述第二晶体管的所述栅极的第二端子;以及

第二齐纳二极管,所述第二齐纳二极管具有耦接到所述电阻器的所述第二端子的阴极,以及耦接到地的阳极,其中所述第二齐纳二极管具有大于所述第一齐纳二极管的击穿电压的击穿电压。

5.根据权利要求3所述的同步整流器控制器,其特征在于所述偏置电路包括:

电阻器,所述电阻器具有耦接到所述漏极端子的第一端子,以及耦接到所述第二晶体管的所述栅极的第二端子;以及

串联耦接在所述电阻器的所述第二端子与地之间的多个二极管,所述多个二极管中的第一个具有耦接到所述电阻器的所述第二端子的阳极,所述多个二极管中的最后一个具有耦接到地的阴极,其中所述多个二极管具有大于所述第一齐纳二极管的击穿电压的组合开启电压。

6.根据权利要求3所述的同步整流器控制器,其特征在于所述偏置电路包括:

电阻器,所述电阻器具有耦接到所述漏极端子的第一端子,以及耦接到所述第二晶体管的所述栅极的第二端子;以及

分流调节器,所述分流调节器具有耦接到所述电阻器的所述第二端子的第一端子,以及耦接到地的第二端子。

7.根据权利要求1所述的同步整流器控制器,其特征在于所述保护电路包括:

电压控制电压源,所述电压控制电压源具有耦接到所述漏极端子的输入端,以及耦接到所述第一晶体管的所述栅极的输出端,其中当所述漏极端子的电压超过预定电压时,所述电压控制电压源将所述第一晶体管的所述栅极偏置在所述第一晶体管的阈值电压之上。

8.根据权利要求1所述的同步整流器控制器,其特征在于所述保护电路包括:

比较器,所述比较器具有耦接到所述漏极端子的电源端子、正输入端、用于接收参考电压的负输入端、以及耦接到所述第一晶体管的所述栅极的输出端;以及

分压器,所述分压器具有耦接到所述漏极端子的第一端子、耦接到所述比较器的所述正输入端的用于向其提供分压的第二端子、以及耦接到地的第二端子。

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