[实用新型]存储器结构有效
| 申请号： | 201821264465.8 | 申请日： | 2018-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN208674120U | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 宋雅丽 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11578 | 分类号： | H01L27/11578 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器结构 衬底 半导体 堆叠结构 栅极层 绝缘层 本实用新型 导电材料 沟道结构 堆叠 二维 存储 贯穿 | ||
【权利要求书】：
1.一种存储器结构，其特征在于，包括：
半导体衬底；
位于所述半导体衬底上的堆叠结构，包括相互堆叠的绝缘层和栅极层，所述栅极层的材料为二维导电材料；
贯穿所述堆叠结构至半导体衬底的沟道结构。
2.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述栅极层包括1～10层所述二维导电材料的单原子层。
3.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述栅极层的厚度为0.3纳米至3纳米。
4.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述栅极层的功函数为4.4eV～5.2eV。
5.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述栅极层的电阻率小于钨的电阻率。
6.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述栅极层的材料包括石墨烯和锡烯中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述沟道结构包括位于沟道孔底部的衬底外延层、覆盖沟道孔侧壁的功能层以及位于所述功能层表面且填充满沟道孔的沟道介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
