[实用新型]一种直拉单晶炉副室提升保护结构

说明书

本实用新型公开一种直拉单晶炉副室提升保护结构，其包括设于隔离阀的摇臂上的倾侧开关KR、三相交流电源、真空泵电机M1、副室电机M2、真空泵电机接触器、副室关闭接触器、副室打开接触器、真空泵启动按钮K0、真空泵停止按钮K1、副室关闭按钮K2以及副室打开按钮K3。本实用新型在不影响正常打开副室提取晶棒的情况下，可以有效避免在拉晶过程中，当隔离阀没有关闭的情况下，限制其打开副室，避免了由工作人员误操作而引发的事故；由于倾侧开关生产成本相对低、且安装方便，故使本实用新型的成本也相对降低，仅有20元人民币左右，大大地降低了生产成本，提高了企业的生产效益；且倾侧开关的灵敏度较高，可保证本实用新型可靠稳定的运行。

技术领域：

本实用新型涉及单晶生产领域，尤其涉及一种直拉单晶炉副室提升保护结构。

背景技术：

硅晶体是半导体行业和太阳能行业最常使用的材料，生产这种材料最常用的方法是丘克劳斯基法(Czochralski法，简称CZ法)，行业内又称为拉晶法或提拉法，丘克劳斯基法制备硅晶体的设备称为拉晶炉。拉晶炉包括主室和副室，主室和副室之间设有隔离阀，可以通过开关隔离阀将主室和副室导通或隔离。拉晶炉在正常工作的过程中，需要启动真空泵，保证拉晶炉内处于高温、低压状态，要求空气绝对不能进入拉晶炉内部。晶体生长完成后，由籽晶提拉机构将晶体提升到副室中，关闭隔离阀后，副室内气压可以通过充入氩气恢复到常压状态，然后打开副室将晶体取出。但是，在拉晶炉工作过程中，经常会出现未拉完的晶体需要从拉晶炉内取出来，在取出晶体的过程中，如果员工误操作，没有关闭隔离阀而直接打开副室，那么空气就会直接进入主室，高温下的单晶硅和石墨热场在遇到空气后，会立刻燃烧起来，造成很严重的事故。

为了避免上述情况发生，现有的解决方案是在副室加装真空计，通过真空计测量副室内部的压力并把压力数据传输给控制器，控制器将测量到的压力数据与大气压进行比较，进而控制副室是否被打开。但是，由于真空计属于高灵敏性的电子设备，特别容易损坏，且真空计价格较高，单台成本通常在2000～3000元人民币，导致生产成本较高，影响企业的生产效益。

实用新型内容：

本实用新型的目的在于提供一种成本低、灵敏度高、稳定性好、可靠性强的直拉单晶炉副室提升保护结构。

本实用新型由如下技术方案实施：

一种直拉单晶炉副室提升保护结构，其包括设于隔离阀的摇臂上的倾侧开关KR、三相交流电源、真空泵电机M1、副室电机M2、真空泵电机接触器、副室关闭接触器、副室打开接触器、真空泵启动按钮K0、真空泵停止按钮K1、副室关闭按钮K2以及副室打开按钮K3；

三相交流电源的A相、B相、C相通过真空泵电机接触器的第一常开触头KM11与真空泵电机M1的输入端子连接，三相交流电源的A相、B相、C相通过副室关闭接触器的第一常开触头KM21与副室电机M2的正转端子连接，三相交流电源的A相、B相、C相通过副室打开接触器的第一常开触头KM31与副室电机M2的反转端子连接；

真空泵启停控制电路包括依次串联的三相交流电源的零线N、真空泵启动按钮K0、真空泵电动机接触器的线圈KM1以及三相交流电源的A相、B相、C相中的任一端子，其还包括由真空泵停止按钮K1与真空泵电动机接触器的第二常开触头KM12串联而成的第一支路，第一支路与真空泵启动按钮K0并联；

副室开闭控制电路包括依次串联的三相交流电源的零线N、副室关闭按钮K2、副室打开接触器的第一常闭触头KM32、副室电机第一行程末端限位开关KA1、副室关闭接触器的线圈KM2以及三相交流电源的A相、B相、C相中的任一端子，其还包括由副室打开按钮K3、副室关闭接触器的第一常闭触头KM22、副室电机第二行程末端限位开关KA2、倾侧开关KR、副室打开接触器的线圈KM3串联而成的第二支路，第二支路的两端分别与三相交流电源的零线N和三相交流电源的A相、B相、C相中的任一端子连接；

真空泵电动机接触器的第一常闭触头KM13与倾侧开关KR并联。