[实用新型]一种化学气相沉积镀膜装置

说明书

本实用新型公开了一种化学气相沉积镀膜装置，包括依次连通的蒸发器、混合室和反应室；蒸发器上设有至少一个载气进口和前体进口，以分别向蒸发器中通入载气和前体；混合室和反应室均设有加热器，以对混合气体进行加热；反应室上部设有工艺气体进口，下部设有真空连接口，真空连接口用于连接真空发生装置；反应室底部开口，开口处设有凸缘，凸缘处设有一法兰盘，法兰盘通过一顶升装置顶升，以与凸缘配合封闭反应室；反应室中还设有一样品架，样品架包括样品台及固定于样品台下表面的升降杆，升降杆固定于法兰盘上。本实用新型的化学气相沉积镀膜装置，有利于提高反应的速率，加快镀膜的生成。

技术领域

本实用新型涉及真空镀膜设备技术领域，尤其涉及一种化学气相沉积镀膜装置。

背景技术

化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)是一种化工技术，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素间化合物，而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程精确控制。目前，化学气相淀积已成为无机合成化学的一个新领域。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种化学气相沉积镀膜装置，与现有的CVD装置相比，本实用新型的化学气相沉积镀膜装置，在蒸发器与反应室之间设置了混合室，前体蒸汽和载气在进入反应室之前，在混合室内充分混合，有利于提高反应的速率，加快镀膜的生成。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种化学气相沉积镀膜装置，包括依次连通的蒸发器、混合室和反应室；

所述蒸发器上设有至少一个载气进口和前体进口，以分别向蒸发器中通入载气和前体；

所述混合室和反应室均设有加热器，以对混合气体进行加热；所述反应室室上部设有工艺气体进口，所述反应室的下部设有真空连接口，所述真空连接口用于连接真空发生装置；

所述反应室底部开口，所述开口处设有凸缘，凸缘处设有一法兰盘，法兰盘通过一顶升装置顶升，以与所述凸缘配合封闭所述反应室；

所述反应室中还设有一样品架，所述样品架包括样品台及固定于样品台下表面的升降杆，所述升降杆固定于所述法兰盘上。

优选的，所述样品台上设有若干热电偶以对样品台上的基底进行加热。

优选的，所述加热器为包覆于混合室和反应室外壁上的加热膜。

优选的，所述反应室的下部还设有尾气出口，所述尾气出口连接有尾气处理装置。

优选的，所述混合室和反应室均是由不锈钢制备而成的。

优选的，所述样品台呈圆形，其直径不小于120mm。

优选的，所述升降杆的底部穿过所述法兰盘，所述升降杆能够相对所述法兰盘上下运动。

优选的，所述升降杆伸出法兰盘的部分上固定设置有转筒，所述转筒可带动升降杆相对法兰盘旋转。

优选的，所述法兰盘与凸缘连接处采用密封件密封。

优选的，所述化学气相沉积镀膜装置还包括一预热器，所述预热器用于预热通入反应室的工艺气体。

本实用新型的有益效果在于：

本实用新型的化学气相沉积镀膜装置，在蒸发器与反应室之间设置了混合室，蒸发器中的前体蒸汽与载气在混合室中充分混合，有利于增加反应的速率，提高样品表面薄膜的沉积速度。

附图说明